Продукція > IXYS > IXFR24N100Q3
IXFR24N100Q3

IXFR24N100Q3 IXYS


IXFR24N100Q3.pdf Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 18A; 500W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 18A
Power dissipation: 500W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 490mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1663.36 грн
2+ 1460.4 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFR24N100Q3 IXYS

Description: MOSFET N-CH 1000V 18A ISOPLUS247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 490mOhm @ 12A, 10V, Power Dissipation (Max): 500W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 4mA, Supplier Device Package: ISOPLUS247™, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXFR24N100Q3 за ціною від 1502.13 грн до 2270.44 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IXFR24N100Q3 IXFR24N100Q3 Виробник : IXYS IXFR24N100Q3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 18A; 500W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 18A
Power dissipation: 500W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 490mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1996.03 грн
2+ 1819.89 грн
IXFR24N100Q3 IXFR24N100Q3 Виробник : IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfr24n100q3_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 1000V 18A ISOPLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 490mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 4mA
Supplier Device Package: ISOPLUS247™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 25 V
на замовлення 147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2090.7 грн
30+ 1668.68 грн
120+ 1564.4 грн
IXFR24N100Q3 IXFR24N100Q3 Виробник : IXYS media-3320604.pdf MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/18A
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2270.44 грн
10+ 2079.85 грн
30+ 1613.62 грн
60+ 1567.56 грн
120+ 1512.14 грн
270+ 1502.13 грн
IXFR24N100Q3 IXFR24N100Q3 Виробник : Littelfuse e_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfr24n100q3_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 1KV 18A 3-Pin(3+Tab) ISOPLUS 247
товар відсутній