Продукція > IXYS > IXFR26N100P
IXFR26N100P

IXFR26N100P IXYS

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9557C6BB9820&compId=IXFR26N100P.pdf?ci_sign=3b03500e95698d4c8c007286dc3266ee074c8df4 Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 15A; 290W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 15A
Power dissipation: 290W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.43Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 197nC
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3098.27 грн
3+2589.10 грн
10+2287.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFR26N100P IXYS

Description: MOSFET N-CH 1000V 15A ISOPLUS247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 13A, 10V, Power Dissipation (Max): 290W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA, Supplier Device Package: ISOPLUS247™, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 197 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11900 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXFR26N100P за ціною від 2466.79 грн до 3717.92 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXFR26N100P IXFR26N100P Виробник : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F9557C6BB9820&compId=IXFR26N100P.pdf?ci_sign=3b03500e95698d4c8c007286dc3266ee074c8df4 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 15A; 290W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 15A
Power dissipation: 290W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.43Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 197nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3717.92 грн
3+3226.42 грн
10+2745.23 грн
30+2466.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR26N100P IXFR26N100P Виробник : Littelfuse te_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfr26n100p_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 1KV 15A 3-Pin(3+Tab) ISOPLUS 247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR26N100P IXFR26N100P Виробник : Littelfuse Inc. littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfr26n100p_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 1000V 15A ISOPLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 290W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA
Supplier Device Package: ISOPLUS247™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 197 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11900 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR26N100P IXFR26N100P Виробник : IXYS media-3320762.pdf MOSFETs 26 Amps 1000V 0.39 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.