IXFR26N100P IXYS
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 15A; 290W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 15A
Power dissipation: 290W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.43Ω
Mounting: THT
Gate charge: 197nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 15A; 290W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 15A
Power dissipation: 290W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.43Ω
Mounting: THT
Gate charge: 197nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 2093.99 грн |
2+ | 1838.72 грн |
3+ | 1838.02 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFR26N100P IXYS
Description: MOSFET N-CH 1000V 15A ISOPLUS247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 13A, 10V, Power Dissipation (Max): 290W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA, Supplier Device Package: ISOPLUS247™, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 197 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11900 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXFR26N100P за ціною від 2095.16 грн до 2512.79 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXFR26N100P | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 1000V 15A ISOPLUS247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 290W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA Supplier Device Package: ISOPLUS247™ Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 197 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11900 pF @ 25 V |
на замовлення 720 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||
IXFR26N100P | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 15A; 290W; ISOPLUS247™ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 15A Power dissipation: 290W Case: ISOPLUS247™ On-state resistance: 0.43Ω Mounting: THT Gate charge: 197nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 26 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||
IXFR26N100P | Виробник : Littelfuse | Trans MOSFET N-CH Si 1KV 15A 3-Pin(3+Tab) ISOPLUS 247 |
товар відсутній |
||||||||||
IXFR26N100P | Виробник : IXYS | MOSFET 26 Amps 1000V 0.39 Rds |
товар відсутній |