Продукція > IXYS > IXFR27N80Q
IXFR27N80Q

IXFR27N80Q IXYS


IXF(K,R,X)27N80Q.pdf Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 800V 27A ISOPLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: ISOPLUS247™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600 pF @ 25 V
товар відсутній

Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFR27N80Q IXYS

Description: MOSFET N-CH 800V 27A ISOPLUS247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 13.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 500W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA, Supplier Device Package: ISOPLUS247™, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXFR27N80Q

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IXFR27N80Q IXFR27N80Q Виробник : IXYS ixysd00065_23-2271978.pdf MOSFET 27 Amps 800V 0.35W Rds
товар відсутній