Продукція > IXYS > IXFR32N100P
IXFR32N100P

IXFR32N100P IXYS

DS99881A(IXFR32N100P).pdf
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 1000V 18A ISOPLUS247
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFR32N100P IXYS

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 18A; 320W; ISOPLUS247™, Mounting: THT, Kind of package: tube, Type of transistor: N-MOSFET, Case: ISOPLUS247™, On-state resistance: 0.34Ω, Power dissipation: 320W, Gate charge: 225nC, Polarisation: unipolar, Drain current: 18A, Kind of channel: enhancement, Drain-source voltage: 1kV.

Інші пропозиції IXFR32N100P

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXFR32N100P IXFR32N100P IXYS ixys_s_a0008598312_1-2273145.pdf MOSFET 32 Amps 1000V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR32N100P IXFR32N100P IXYS IXFR32N100P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 18A; 320W; ISOPLUS247™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of transistor: N-MOSFET
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.34Ω
Power dissipation: 320W
Gate charge: 225nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 18A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR32N100P ixys_s_a0008598312_1-2273145.pdf
IXFR32N100P
Виробник: IXYS
MOSFET 32 Amps 1000V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR32N100P IXFR32N100P.pdf
IXFR32N100P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 18A; 320W; ISOPLUS247™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of transistor: N-MOSFET
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.34Ω
Power dissipation: 320W
Gate charge: 225nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 18A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.