
IXFR32N100P IXYS

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 18A; 320W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 18A
Power dissipation: 320W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.34Ω
Mounting: THT
Gate charge: 225nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1433.52 грн |
2+ | 1259.09 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFR32N100P IXYS
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 18A; 320W; ISOPLUS247™, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 1kV, Drain current: 18A, Power dissipation: 320W, Case: ISOPLUS247™, On-state resistance: 0.34Ω, Mounting: THT, Gate charge: 225nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції IXFR32N100P за ціною від 1569.02 грн до 1720.22 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IXFR32N100P | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 18A; 320W; ISOPLUS247™ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 18A Power dissipation: 320W Case: ISOPLUS247™ On-state resistance: 0.34Ω Mounting: THT Gate charge: 225nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 9 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||
![]() |
IXFR32N100P | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||
![]() |
IXFR32N100P | Виробник : IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||
![]() |
IXFR32N100P | Виробник : IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |