Технічний опис IXFR32N100Q3 Littelfuse
Description: MOSFET N-CH 1000V 23A ISOPLUS247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 16A, 10V, Power Dissipation (Max): 570W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 8mA, Supplier Device Package: ISOPLUS247™, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9940 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXFR32N100Q3 за ціною від 2839.38 грн до 3003.90 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IXFR32N100Q3 | Виробник : IXYS | IXFR32N100Q3 THT N channel transistors |
на замовлення 30 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||
 |
IXFR32N100Q3 | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 1000V 23A ISOPLUS247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 570W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 8mA Supplier Device Package: ISOPLUS247™ Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9940 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|||||||
 |
IXFR32N100Q3 | Виробник : IXYS |
 MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/23A |
товару немає в наявності |