.jpg "IXFR32N80Q3")
IXFR32N80Q3 IXYS
Виробник: IXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 24A ISOPLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 4mA
Supplier Device Package: ISOPLUS247™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6940 pF @ 25 V
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 2313.86 грн |
| 10+ | 1980.24 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFR32N80Q3 IXYS
Description: MOSFET N-CH 800V 24A ISOPLUS247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 16A, 10V, Power Dissipation (Max): 500W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 4mA, Supplier Device Package: ISOPLUS247™, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6940 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXFR32N80Q3 за ціною від 1754.49 грн до 2539.93 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXFR32N80Q3 | Виробник : IXYS |
MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 800V/24A |
на замовлення 36 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IXFR32N80Q3 | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 24A; 500W; ISOPLUS247™ Case: ISOPLUS247™ Mounting: THT Kind of package: tube Drain current: 24A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 800V Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 0.3Ω Power dissipation: 500W Gate charge: 0.14µC Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||
|
|
IXFR32N80Q3 | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 24A; 500W; ISOPLUS247™ Case: ISOPLUS247™ Mounting: THT Kind of package: tube Drain current: 24A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 800V Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 0.3Ω Power dissipation: 500W Gate charge: 0.14µC Polarisation: unipolar |
товар відсутній |