.jpg "IXFR36N50P")
IXFR36N50P IXYS
Виробник: IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 19A ISOPLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: ISOPLUS247™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 25 V
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 934.5 грн |
| 10+ | 826.73 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFR36N50P IXYS
Description: MOSFET N-CH 500V 19A ISOPLUS247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 18A, 10V, Power Dissipation (Max): 156W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA, Supplier Device Package: ISOPLUS247™, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXFR36N50P за ціною від 515.4 грн до 992.3 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXFR36N50P | Виробник : IXYS |
MOSFET 500V 36A |
на замовлення 11 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IXFR36N50P | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 19A; 156W; ISOPLUS247™ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 19A Power dissipation: 156W Case: ISOPLUS247™ On-state resistance: 0.19Ω Mounting: THT Gate charge: 93nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
IXFR36N50P | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH Si 500V 19A 3-Pin(3+Tab) ISOPLUS 247 |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
IXFR36N50P | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 19A; 156W; ISOPLUS247™ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 19A Power dissipation: 156W Case: ISOPLUS247™ On-state resistance: 0.19Ω Mounting: THT Gate charge: 93nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |