IXFR36N60P IXYS SEMICONDUCTOR
Виробник: IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFR36N60P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.2 ohm, ISOPLUS-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 208W
Bauform - Transistor: ISOPLUS-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 344 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 764.84 грн |
| 5+ | 763.19 грн |
| 10+ | 761.55 грн |
| 50+ | 706.39 грн |
| 100+ | 650.64 грн |
| 250+ | 649.23 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFR36N60P IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFR36N60P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.2 ohm, ISOPLUS-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 208W, Bauform - Transistor: ISOPLUS-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції IXFR36N60P за ціною від 581.15 грн до 1132.09 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXFR36N60P | Виробник : Littelfuse Inc. |
Description: MOSFET N-CH 600V 20A ISOPLUS247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 208W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA Supplier Device Package: ISOPLUS247™ Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5800 pF @ 25 V |
на замовлення 261 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
IXFR36N60P | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH Si 600V 20A 3-Pin(3+Tab) ISOPLUS 247 |
товару немає в наявності |
|||||||||
| IXFR36N60P | Виробник : IXYS | IXFR36N60P THT N channel transistors |
товару немає в наявності |
||||||||||
 |
IXFR36N60P | Виробник : IXYS |
MOSFETs 600V 20A |
товару немає в наявності |