Продукція > IXYS > IXFR38N80Q2
IXFR38N80Q2

IXFR38N80Q2 IXYS


IXFR38N80Q2.pdf
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 800V 28A ISOPLUS247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8340 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: ISOPLUS247™
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA
Power Dissipation (Max): 416W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 19A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFR38N80Q2 IXYS

Description: MOSFET N-CH 800V 28A ISOPLUS247, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8340 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Vgs (Max): ±30V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: ISOPLUS247™, Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA, Power Dissipation (Max): 416W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 19A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-247-3, Packaging: Tube.

Інші пропозиції IXFR38N80Q2

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXFR38N80Q2 IXFR38N80Q2 IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXFR38N80Q2_Datasheet.PDF MOSFETs 38 Amps 800V 0.24 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR38N80Q2 Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXFR38N80Q2_Datasheet.PDF
IXFR38N80Q2
Виробник: IXYS
MOSFETs 38 Amps 800V 0.24 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.