IXFR38N80Q2 IXYS
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 800V 28A ISOPLUS247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8340 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: ISOPLUS247™
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA
Power Dissipation (Max): 416W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 19A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFR38N80Q2 IXYS
Description: MOSFET N-CH 800V 28A ISOPLUS247, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8340 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Vgs (Max): ±30V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: ISOPLUS247™, Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA, Power Dissipation (Max): 416W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 19A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-247-3, Packaging: Tube.
Інші пропозиції IXFR38N80Q2
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
|
IXFR38N80Q2 | IXYS |
MOSFETs 38 Amps 800V 0.24 Rds |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| IXFR38N80Q2 |
![]() |
Виробник: IXYS
MOSFETs 38 Amps 800V 0.24 Rds
MOSFETs 38 Amps 800V 0.24 Rds
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.


