Технічний опис IXFR40N90P Littelfuse
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 21A; 300W; ISOPLUS247™, Case: ISOPLUS247™, Mounting: THT, Kind of package: tube, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 300W, Polarisation: unipolar, Gate charge: 230nC, Kind of channel: enhancement, Drain-source voltage: 900V, Drain current: 21A, On-state resistance: 0.25Ω, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції IXFR40N90P
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
IXFR40N90P | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 21A; 300W; ISOPLUS247™ Case: ISOPLUS247™ Mounting: THT Kind of package: tube Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 300W Polarisation: unipolar Gate charge: 230nC Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 900V Drain current: 21A On-state resistance: 0.25Ω кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|
![]() |
IXFR40N90P | Виробник : IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
IXFR40N90P | Виробник : IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
IXFR40N90P | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 21A; 300W; ISOPLUS247™ Case: ISOPLUS247™ Mounting: THT Kind of package: tube Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 300W Polarisation: unipolar Gate charge: 230nC Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 900V Drain current: 21A On-state resistance: 0.25Ω |
товару немає в наявності |