.jpg "IXFR64N50P")
IXFR64N50P IXYS
Виробник: IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 35A ISOPLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 8mA
Supplier Device Package: ISOPLUS247™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8700 pF @ 25 V
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1305.7 грн |
| 30+ | 1017.83 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFR64N50P IXYS
Description: MOSFET N-CH 500V 35A ISOPLUS247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 32A, 10V, Power Dissipation (Max): 300W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 8mA, Supplier Device Package: ISOPLUS247™, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8700 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXFR64N50P за ціною від 776.43 грн до 1494.67 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXFR64N50P | Виробник : IXYS |
MOSFET 500V 64A |
на замовлення 27 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IXFR64N50P | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 500V 37A 3-Pin(3+Tab) ISOPLUS 247 |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
IXFR64N50P | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHV™; unipolar; 500V; 37A; 300W; 200ns Type of transistor: N-MOSFET Technology: HiPerFET™; PolarHV™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 37A Power dissipation: 300W Case: ISOPLUS247™ Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 95mΩ Mounting: THT Gate charge: 150nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 200ns кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
IXFR64N50P | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHV™; unipolar; 500V; 37A; 300W; 200ns Type of transistor: N-MOSFET Technology: HiPerFET™; PolarHV™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 37A Power dissipation: 300W Case: ISOPLUS247™ Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 95mΩ Mounting: THT Gate charge: 150nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 200ns |
товар відсутній |