IXFR64N50P IXYS
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 500V 35A ISOPLUS247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: ISOPLUS247™
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 8mA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 32A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1664.04 грн |
| 30+ | 1018.03 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFR64N50P IXYS
Description: MOSFET N-CH 500V 35A ISOPLUS247, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8700 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Vgs (Max): ±30V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: ISOPLUS247™, Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 8mA, Power Dissipation (Max): 300W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 32A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-247-3, Packaging: Tube.
Інші пропозиції IXFR64N50P
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IXFR64N50P | IXYS |
MOSFETs 500V 64A |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 300 шт В кошику од. на суму грн. |
 |
IXFR64N50P | IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHV™; unipolar; 500V; 37A; 300W; 200ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 37A Power dissipation: 300W Case: ISOPLUS247™ Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 95mΩ Mounting: THT Gate charge: 150nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 200ns Technology: HiPerFET™; PolarHV™ |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| IXFR64N50P |
|
Виробник: IXYS
MOSFETs 500V 64A
MOSFETs 500V 64A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IXFR64N50P |
|
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHV™; unipolar; 500V; 37A; 300W; 200ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 37A
Power dissipation: 300W
Case: ISOPLUS247™
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Technology: HiPerFET™; PolarHV™
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHV™; unipolar; 500V; 37A; 300W; 200ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 37A
Power dissipation: 300W
Case: ISOPLUS247™
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Technology: HiPerFET™; PolarHV™
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.