.jpg "IXFR64N60Q3")
IXFR64N60Q3 IXYS
Виробник: IXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 42A ISOPLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 568W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 4mA
Supplier Device Package: ISOPLUS247™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9930 pF @ 25 V
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 2854.8 грн |
| 10+ | 2564.48 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFR64N60Q3 IXYS
Description: MOSFET N-CH 600V 42A ISOPLUS247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 32A, 10V, Power Dissipation (Max): 568W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 4mA, Supplier Device Package: ISOPLUS247™, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9930 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXFR64N60Q3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IXFR64N60Q3 | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH Si 600V 42A 3-Pin(3+Tab) ISOPLUS 247 |
товар відсутній |
|
 |
IXFR64N60Q3 | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 42A; 568W; ISOPLUS247™ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 42A Power dissipation: 568W Case: ISOPLUS247™ On-state resistance: 104mΩ Mounting: THT Gate charge: 190nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |
|
 |
IXFR64N60Q3 | Виробник : IXYS |
MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 600V/42A |
товар відсутній |
|
|
|
IXFR64N60Q3 | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 42A; 568W; ISOPLUS247™ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 42A Power dissipation: 568W Case: ISOPLUS247™ On-state resistance: 104mΩ Mounting: THT Gate charge: 190nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |