Продукція > IXYS > IXFR80N50P
IXFR80N50P

IXFR80N50P IXYS

Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXFR80N50P_Datasheet.PDF
Виробник: IXYS
MOSFETs 500V 80A
на замовлення 258 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1789.59 грн
10+1440.91 грн
120+1107.31 грн
510+1098.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFR80N50P IXYS

Description: MOSFET N-CH 500V 45A ISOPLUS247, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12700 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 197 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Vgs (Max): ±30V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: ISOPLUS247™, Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA, Power Dissipation (Max): 360W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 40A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-247-3, Packaging: Tube.

Інші пропозиції IXFR80N50P

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXFR80N50P IXYS/Littelfuse IXFR80N50P_IXYS.pdf N-канальний ПТ, Udss, В = 500, Id = 45 А, Ptot, Вт = 360, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 12700 @ 25, Qg, нКл = 197 @ 10 В, Rds = 72 мОм @ 40 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 5 В @ 8 мA,... Транзистори Корпус: ISOPLUS-247 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 30 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR80N50P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfr80n50p_datasheet.pdf.pdf MOSFET N-CH 500V 45A ISOPLUS247 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR80N50P IXFR80N50P Littelfuse Inc. littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfr80n50p_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 45A ISOPLUS247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 197 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: ISOPLUS247™
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 40A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR80N50P IXFR80N50P_IXYS.pdf
Виробник: IXYS/Littelfuse
N-канальний ПТ, Udss, В = 500, Id = 45 А, Ptot, Вт = 360, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 12700 @ 25, Qg, нКл = 197 @ 10 В, Rds = 72 мОм @ 40 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 5 В @ 8 мA,... Транзистори Корпус: ISOPLUS-247 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 30 шт
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR80N50P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfr80n50p_datasheet.pdf.pdf
MOSFET N-CH 500V 45A ISOPLUS247 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR80N50P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfr80n50p_datasheet.pdf.pdf
IXFR80N50P
Виробник: Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 500V 45A ISOPLUS247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 197 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: ISOPLUS247™
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 40A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.