IXFR80N50Q3 Littelfuse Inc.
Виробник: Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 500V 50A ISOPLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 570W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 8mA
Supplier Device Package: ISOPLUS247™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 25 V
на замовлення 202 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1881.89 грн |
| 30+ | 1652.74 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFR80N50Q3 Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 500V 50A ISOPLUS247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 40A, 10V, Power Dissipation (Max): 570W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 8mA, Supplier Device Package: ISOPLUS247™, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXFR80N50Q3 за ціною від 1974.51 грн до 2698.61 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXFR80N50Q3 | Виробник : IXYS |
MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/50A |
на замовлення 224 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
 |
IXFR80N50Q3 | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 50A; 570W; ISOPLUS247™ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 50A Power dissipation: 570W Case: ISOPLUS247™ On-state resistance: 72mΩ Mounting: THT Gate charge: 200nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
IXFR80N50Q3 | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 50A; 570W; ISOPLUS247™ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 50A Power dissipation: 570W Case: ISOPLUS247™ On-state resistance: 72mΩ Mounting: THT Gate charge: 200nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 8 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||
 |
IXFR80N50Q3 | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH Si 500V 50A 3-Pin(3+Tab) ISOPLUS 247 |
товару немає в наявності |