Продукція > IXYS > IXFR90N30
IXFR90N30

IXFR90N30 IXYS


IXFR90N30.pdf Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 75A; 417W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 75A
Power dissipation: 417W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 360nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 30 шт
товар відсутній

Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFR90N30 IXYS

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 75A; 417W; ISOPLUS247™, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 300V, Drain current: 75A, Power dissipation: 417W, Case: ISOPLUS247™, On-state resistance: 36mΩ, Mounting: THT, Gate charge: 360nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 30 шт.

Інші пропозиції IXFR90N30

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IXFR90N30 IXFR90N30 Виробник : IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfr90n30_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 300V 75A ISOPLUS247
товар відсутній
IXFR90N30 IXFR90N30 Виробник : IXYS ixys_s_a0008598097_1-2272929.pdf MOSFET 75 Amps 300V 0.033 Rds
товар відсутній
IXFR90N30 IXFR90N30 Виробник : IXYS IXFR90N30.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 75A; 417W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 75A
Power dissipation: 417W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 360nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній