Продукція > IXYS > IXFT100N30X3HV
IXFT100N30X3HV

IXFT100N30X3HV IXYS

littelfusediscretemosfetsnchannelultrajunctionixf100n30x3hvdatasheetpdf.pdf Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 300V 100A TO268HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-268HV (IXFT)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7660 pF @ 25 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1132.78 грн
30+671.61 грн
120+579.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFT100N30X3HV IXYS

Description: MOSFET N-CH 300V 100A TO268HV, Packaging: Tube, Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 480W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA, Supplier Device Package: TO-268HV (IXFT), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7660 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXFT100N30X3HV за ціною від 665.97 грн до 1216.36 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXFT100N30X3HV IXFT100N30X3HV Виробник : IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n_channel_ultra_junction_ixf_100n30x3_hv_datasheet.pdf MOSFETs TO268 300V 100A N-CH X3CLASS
на замовлення 161 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1216.36 грн
10+781.72 грн
120+665.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT100N30X3HV IXFT100N30X3HV Виробник : Littelfuse s_n-channel_ultra_junction_ixf_100n30x3_hv_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 300V 100A 3-Pin(2+Tab) TO-268HV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT100N30X3HV IXFT100N30X3HV Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 300V 100A 3-Pin(2+Tab) TO-268HV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT100N30X3HV IXFT100N30X3HV Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 300V 100A 3-Pin(2+Tab) TO-268HV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT100N30X3HV IXFT100N30X3HV Виробник : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FBCDA1FA5458BF&compId=IXF_100N30X3_HV.pdf?ci_sign=291cad4ee4c338832090f6d9d224fee09028d26c pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FC1CCCD2D4B8BF&compId=300VProductBrief.pdf?ci_sign=243527b0db45b2a88c7e85e44a9cf5e3419beb5c Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 100A; 480W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 100A
Power dissipation: 480W
Case: TO268
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 122nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 130ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.