IXFT100N30X3HV Littelfuse Inc.
Виробник: Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 300V 100A TO268HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-268HV (IXFT)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7660 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 300V 100A TO268HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-268HV (IXFT)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7660 pF @ 25 V
на замовлення 508 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1002.17 грн |
| 30+ | 624.11 грн |
| 120+ | 572.33 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFT100N30X3HV Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 300V 100A TO268HV, Packaging: Tube, Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 480W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA, Supplier Device Package: TO-268HV (IXFT), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7660 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXFT100N30X3HV за ціною від 648.07 грн до 1120.69 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXFT100N30X3HV | Виробник : IXYS |
 MOSFETs TO268 300V 100A N-CH X3CLASS |
на замовлення 270 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
 |
IXFT100N30X3HV | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 300V 100A 3-Pin(2+Tab) TO-268HV |
товару немає в наявності |
|||||||||
 |
IXFT100N30X3HV | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 300V 100A 3-Pin(2+Tab) TO-268HV |
товару немає в наявності |
|||||||||
|
|
IXFT100N30X3HV | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 300V 100A 3-Pin(2+Tab) TO-268HV |
товару немає в наявності |
|||||||||
 |
IXFT100N30X3HV | Виробник : IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 100A; 480W; TO268 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 300V Drain current: 100A Power dissipation: 480W Case: TO268 On-state resistance: 13.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 122nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 130ns Technology: HiPerFET™; X3-Class Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||
|
|
IXFT100N30X3HV | Виробник : IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 100A; 480W; TO268 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 300V Drain current: 100A Power dissipation: 480W Case: TO268 On-state resistance: 13.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 122nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 130ns Technology: HiPerFET™; X3-Class Gate-source voltage: ±20V |
товару немає в наявності |