Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFT120N15P Littelfuse
Description: MOSFET N-CH 150V 120A TO268, Packaging: Tube, Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 600W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA, Supplier Device Package: TO-268AA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXFT120N15P за ціною від 470.94 грн до 1102.64 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IXFT120N15P | Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 150V 120A 3-Pin(2+Tab) TO-268 |
на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
IXFT120N15P | IXYS |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 150V; 120A; 600W; TO268 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: HiPerFET™; PolarHT™ Type of transistor: N-MOSFET Case: TO268 Polarisation: unipolar Reverse recovery time: 200ns Gate charge: 150nC On-state resistance: 16mΩ Gate-source voltage: ±20V Drain current: 120A Drain-source voltage: 150V Power dissipation: 600W Kind of package: tube |
на замовлення 30 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||
|
IXFT120N15P | Ixys Corporation |
Trans MOSFET N-CH 150V 120A 3-Pin(2+Tab) TO-268 |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
IXFT120N15P | IXYS |
MOSFETs 120 Amps 150V 0.016 Rds |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IXFT120N15P |
![]() |
Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 150V 120A 3-Pin(2+Tab) TO-268
Trans MOSFET N-CH 150V 120A 3-Pin(2+Tab) TO-268
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 240+ | 600.74 грн |
| IXFT120N15P |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 150V; 120A; 600W; TO268
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; PolarHT™
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO268
Polarisation: unipolar
Reverse recovery time: 200ns
Gate charge: 150nC
On-state resistance: 16mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 120A
Drain-source voltage: 150V
Power dissipation: 600W
Kind of package: tube
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 150V; 120A; 600W; TO268
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; PolarHT™
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO268
Polarisation: unipolar
Reverse recovery time: 200ns
Gate charge: 150nC
On-state resistance: 16mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 120A
Drain-source voltage: 150V
Power dissipation: 600W
Kind of package: tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 783.07 грн |
| 10+ | 599.45 грн |
| 30+ | 470.94 грн |
| IXFT120N15P |
![]() |
Виробник: Ixys Corporation
Trans MOSFET N-CH 150V 120A 3-Pin(2+Tab) TO-268
Trans MOSFET N-CH 150V 120A 3-Pin(2+Tab) TO-268
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 13+ | 1102.64 грн |
| 16+ | 908.51 грн |
| 30+ | 714.39 грн |
| IXFT120N15P |
![]() |
Виробник: IXYS
MOSFETs 120 Amps 150V 0.016 Rds
MOSFETs 120 Amps 150V 0.016 Rds
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)





