Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFT120N15P Littelfuse
Description: MOSFET N-CH 150V 120A TO268, Packaging: Tube, Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 600W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA, Supplier Device Package: TO-268AA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXFT120N15P за ціною від 480.82 грн до 1100.18 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IXFT120N15P | Littelfuse |
 Trans MOSFET N-CH 150V 120A 3-Pin(2+Tab) TO-268 |
на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
IXFT120N15P | IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 150V; 120A; 600W; TO268 Mounting: SMD Power dissipation: 600W Gate charge: 150nC Polarisation: unipolar Technology: HiPerFET™; PolarHT™ Drain current: 120A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 150V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: tube Case: TO268 On-state resistance: 16mΩ Reverse recovery time: 200ns |
на замовлення 30 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||
|
|
IXFT120N15P | Ixys Corporation |
Trans MOSFET N-CH 150V 120A 3-Pin(2+Tab) TO-268 |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| IXFT120N15P |
|
Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 150V 120A 3-Pin(2+Tab) TO-268
Trans MOSFET N-CH 150V 120A 3-Pin(2+Tab) TO-268
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 240+ | 599.40 грн |
| IXFT120N15P |
|
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 150V; 120A; 600W; TO268
Mounting: SMD
Power dissipation: 600W
Gate charge: 150nC
Polarisation: unipolar
Technology: HiPerFET™; PolarHT™
Drain current: 120A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 150V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO268
On-state resistance: 16mΩ
Reverse recovery time: 200ns
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 150V; 120A; 600W; TO268
Mounting: SMD
Power dissipation: 600W
Gate charge: 150nC
Polarisation: unipolar
Technology: HiPerFET™; PolarHT™
Drain current: 120A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 150V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO268
On-state resistance: 16mΩ
Reverse recovery time: 200ns
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 799.50 грн |
| 10+ | 612.03 грн |
| 30+ | 480.82 грн |
| IXFT120N15P |
|
Виробник: Ixys Corporation
Trans MOSFET N-CH 150V 120A 3-Pin(2+Tab) TO-268
Trans MOSFET N-CH 150V 120A 3-Pin(2+Tab) TO-268
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 13+ | 1100.18 грн |
| 16+ | 906.49 грн |
| 30+ | 712.80 грн |