Продукція > IXYS > IXFT120N15P
IXFT120N15P

IXFT120N15P IXYS

IXF_120N15P.pdf Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 150V; 120A; 600W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 120A
Power dissipation: 600W
Case: TO268
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Technology: HiPerFET™; PolarHT™
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+781.54 грн
2+476.66 грн
6+450.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFT120N15P IXYS

Description: MOSFET N-CH 150V 120A TO268, Packaging: Tube, Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 600W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA, Supplier Device Package: TO-268AA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXFT120N15P за ціною від 520.49 грн до 937.85 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXFT120N15P IXFT120N15P Виробник : IXYS media-3320782.pdf MOSFETs 120 Amps 150V 0.016 Rds
на замовлення 177 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+900.35 грн
10+731.82 грн
30+528.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT120N15P IXFT120N15P Виробник : IXYS IXF_120N15P.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 150V; 120A; 600W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 120A
Power dissipation: 600W
Case: TO268
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Technology: HiPerFET™; PolarHT™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+937.85 грн
2+593.99 грн
6+540.73 грн
270+520.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT120N15P IXFT120N15P Виробник : Littelfuse te_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_120n15p_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 120A 3-Pin(2+Tab) TO-268
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT120N15P IXFT120N15P Виробник : Littelfuse Inc. littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_120n15p_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 120A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-268AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.