на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 240+ | 515.74 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFT120N15P Littelfuse
Description: MOSFET N-CH 150V 120A TO268, Packaging: Tube, Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 600W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA, Supplier Device Package: TO-268AA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXFT120N15P за ціною від 464.26 грн до 966.27 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IXFT120N15P | Виробник : Littelfuse |
 Trans MOSFET N-CH 150V 120A 3-Pin(2+Tab) TO-268 |
на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IXFT120N15P | Виробник : IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 150V; 120A; 600W; TO268 Drain-source voltage: 150V Drain current: 120A Case: TO268 On-state resistance: 16mΩ Power dissipation: 600W Technology: HiPerFET™; PolarHT™ Gate-source voltage: ±20V Kind of package: tube Reverse recovery time: 200ns Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Kind of channel: enhancement Polarisation: unipolar Gate charge: 150nC |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IXFT120N15P | Виробник : Ixys Corporation |
Trans MOSFET N-CH 150V 120A 3-Pin(2+Tab) TO-268 |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IXFT120N15P | Виробник : IXYS |
MOSFETs 120 Amps 150V 0.016 Rds |
на замовлення 172 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IXFT120N15P | Виробник : IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 150V; 120A; 600W; TO268 Drain-source voltage: 150V Drain current: 120A Case: TO268 On-state resistance: 16mΩ Power dissipation: 600W Technology: HiPerFET™; PolarHT™ Gate-source voltage: ±20V Kind of package: tube Reverse recovery time: 200ns Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Kind of channel: enhancement Polarisation: unipolar Gate charge: 150nC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IXFT120N15P | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 150V 120A 3-Pin(2+Tab) TO-268 |
товару немає в наявності |
|||||||||||
|
|
IXFT120N15P | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 150V 120A 3-Pin(2+Tab) TO-268 |
товару немає в наявності |
|||||||||||
|
|
IXFT120N15P | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 150V 120A 3-Pin(2+Tab) TO-268 |
товару немає в наявності |
|||||||||||
 |
IXFT120N15P | Виробник : Littelfuse Inc. |
Description: MOSFET N-CH 150V 120A TO268 Packaging: Tube Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 600W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA Supplier Device Package: TO-268AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |