Продукція > IXYS > IXFT120N25X3HV
IXFT120N25X3HV

IXFT120N25X3HV IXYS

IXFH(T,Q)120N25X3_HV.pdf Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 120A; 480W; TO268HV; 140ns
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 120A
On-state resistance: 12mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 480W
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 122nC
Kind of channel: enhanced
Case: TO268HV
Reverse recovery time: 140ns
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+863.64 грн
2+ 643.5 грн
4+ 608.21 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFT120N25X3HV IXYS

Description: MOSFET N-CH 250V 120A TO268HV, Packaging: Tube, Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 60A, 10V, Power Dissipation (Max): 520W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA, Supplier Device Package: TO-268AA, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7870 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXFT120N25X3HV за ціною від 675.55 грн до 1036.37 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IXFT120N25X3HV IXFT120N25X3HV Виробник : IXYS media-3320032.pdf MOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X3 3&44
на замовлення 1056 шт:
термін постачання 245-254 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1024.51 грн
10+ 902.93 грн
30+ 710.76 грн
120+ 675.55 грн
IXFT120N25X3HV IXFT120N25X3HV Виробник : IXYS IXFH(T,Q)120N25X3_HV.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 120A; 480W; TO268HV; 140ns
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 120A
On-state resistance: 12mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 480W
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 122nC
Kind of channel: enhanced
Case: TO268HV
Reverse recovery time: 140ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 24 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1036.37 грн
2+ 801.9 грн
4+ 729.85 грн
30+ 718.23 грн
IXFT120N25X3HV IXFT120N25X3HV Виробник : Littelfuse fets_n-channel_ultra_junction_ixf_120n25x3_datasheet.pdf.pdf Power MOSFET
товар відсутній
IXFT120N25X3HV IXFT120N25X3HV Виробник : IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_120n25x3_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 120A TO268HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-268AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7870 pF @ 25 V
товар відсутній