IXFT120N25X3HV IXYS
Виробник: IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 120A; 480W; TO268HV; 140ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 120A
Power dissipation: 480W
Case: TO268HV
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 122nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 140ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 885.42 грн |
| 2+ | 682.50 грн |
| 4+ | 645.20 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFT120N25X3HV IXYS
Description: MOSFET N-CH 250V 120A TO268HV, Packaging: Tube, Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 60A, 10V, Power Dissipation (Max): 520W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA, Supplier Device Package: TO-268AA, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7870 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXFT120N25X3HV за ціною від 531.62 грн до 1250.29 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXFT120N25X3HV | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 250V 120A TO268HV Packaging: Tube Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 60A, 10V Power Dissipation (Max): 520W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA Supplier Device Package: TO-268AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7870 pF @ 25 V |
на замовлення 1348 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IXFT120N25X3HV | Виробник : IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 120A; 480W; TO268HV; 140ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 120A Power dissipation: 480W Case: TO268HV On-state resistance: 12mΩ Mounting: SMD Gate charge: 122nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 140ns Features of semiconductor devices: ultra junction x-class кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 24 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IXFT120N25X3HV | Виробник : IXYS |
MOSFETs TO268 250V 120A N-CH X3CLASS |
на замовлення 268 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IXFT120N25X3HV | Виробник : Ixys Corporation |
Power MOSFET |
на замовлення 24 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IXFT120N25X3HV | Виробник : Littelfuse |
Power MOSFET |
товару немає в наявності |
|||||||||||
|
|
IXFT120N25X3HV | Виробник : Littelfuse |
Power MOSFET |
товару немає в наявності |