Продукція > IXYS > IXFT120N30X3HV
IXFT120N30X3HV

IXFT120N30X3HV IXYS

IXF_120N30X3_HV.pdf 300VProductBrief.pdf Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 120A; 735W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 120A
Power dissipation: 735W
Case: TO268
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 170nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 145ns
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1221.42 грн
2+887.42 грн
3+838.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFT120N30X3HV IXYS

Description: LITTELFUSE - IXFT120N30X3HV - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 120 A, 0.0086 ohm, TO-268HV, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 300V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 735W, Bauform - Transistor: TO-268HV, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Produktreihe X3-Class HiPerFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0086ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2022).

Інші пропозиції IXFT120N30X3HV за ціною від 804.10 грн до 1486.13 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXFT120N30X3HV IXFT120N30X3HV Виробник : Littelfuse Inc. Description: MOSFET N-CH 300V 120A TO268HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 735W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-268HV (IXFT)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 25 V
на замовлення 373 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1268.52 грн
30+964.02 грн
120+894.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT120N30X3HV IXFT120N30X3HV Виробник : IXYS media-3322257.pdf MOSFETs TO268 300V 120A N-CH X3CLASS
на замовлення 916 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1347.52 грн
10+1123.53 грн
30+916.66 грн
60+879.88 грн
120+846.03 грн
270+806.31 грн
510+804.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT120N30X3HV IXFT120N30X3HV Виробник : LITTELFUSE LFSI-S-A0007925142-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: LITTELFUSE - IXFT120N30X3HV - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 120 A, 0.0086 ohm, TO-268HV, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 735W
Bauform - Transistor: TO-268HV
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe X3-Class HiPerFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0086ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1419.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT120N30X3HV IXFT120N30X3HV Виробник : IXYS IXF_120N30X3_HV.pdf 300VProductBrief.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 120A; 735W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 120A
Power dissipation: 735W
Case: TO268
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 170nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 145ns
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1465.70 грн
2+1105.86 грн
3+1006.04 грн
300+968.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT120N30X3HV IXFT120N30X3HV Виробник : Ixys Corporation media.pdf Trans MOSFET N-CH 300V 120A 3-Pin(2+Tab) TO-268HV
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+1486.13 грн
10+1320.58 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT120N30X3HV IXFT120N30X3HV Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 300V 120A 3-Pin(2+Tab) TO-268HV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT120N30X3HV IXFT120N30X3HV Виробник : Littelfuse wer-semiconductor-discrete-mosfet-ixfx120n30x3-datasheet.pdf Trans MOSFET N-CH 300V 120A 3-Pin(2+Tab) TO-268HV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT120N30X3HV IXFT120N30X3HV Виробник : Littelfuse wer-semiconductor-discrete-mosfet-ixfx120n30x3-datasheet.pdf Trans MOSFET N-CH 300V 120A 3-Pin(2+Tab) TO-268HV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.