IXFT120N30X3HV IXYS
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 120A; 735W; TO268
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO268
Polarisation: unipolar
Reverse recovery time: 145ns
Gate charge: 170nC
On-state resistance: 11mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 120A
Drain-source voltage: 300V
Power dissipation: 735W
Kind of package: tube
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1172.37 грн |
| 10+ | 928.61 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFT120N30X3HV IXYS
Description: LITTELFUSE - IXFT120N30X3HV - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 120 A, 0.0086 ohm, TO-268HV, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 300V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 735W, Bauform - Transistor: TO-268HV, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Produktreihe X3-Class HiPerFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0086ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2022).
Інші пропозиції IXFT120N30X3HV за ціною від 722.92 грн до 1722.73 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IXFT120N30X3HV | IXYS |
Description: MOSFET N-CH 300V 120A TO268HVPackaging: Tube Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 60A, 10V Power Dissipation (Max): 735W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA Supplier Device Package: TO-268HV (IXFT) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 25 V |
на замовлення 646 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
IXFT120N30X3HV | Ixys Corporation |
Trans MOSFET N-CH 300V 120A 3-Pin(2+Tab) TO-268HV |
на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
IXFT120N30X3HV | IXYS |
MOSFETs TO268 300V 120A N-CH X3CLASS |
на замовлення 1929 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
IXFT120N30X3HV | LITTELFUSE |
Description: LITTELFUSE - IXFT120N30X3HV - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 120 A, 0.0086 ohm, TO-268HV, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 300V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 735W Bauform - Transistor: TO-268HV Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Produktreihe X3-Class HiPerFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0086ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IXFT120N30X3HV |
![]() |
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 300V 120A TO268HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 735W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-268HV (IXFT)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 300V 120A TO268HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 735W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-268HV (IXFT)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 25 V
на замовлення 646 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1494.02 грн |
| 30+ | 908.08 грн |
| 120+ | 792.02 грн |
| 510+ | 722.92 грн |
| IXFT120N30X3HV |
![]() |
Виробник: Ixys Corporation
Trans MOSFET N-CH 300V 120A 3-Pin(2+Tab) TO-268HV
Trans MOSFET N-CH 300V 120A 3-Pin(2+Tab) TO-268HV
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 1722.73 грн |
| 10+ | 1530.83 грн |
| IXFT120N30X3HV |
![]() |
Виробник: IXYS
MOSFETs TO268 300V 120A N-CH X3CLASS
MOSFETs TO268 300V 120A N-CH X3CLASS
на замовлення 1929 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IXFT120N30X3HV |
![]() |
Виробник: LITTELFUSE
Description: LITTELFUSE - IXFT120N30X3HV - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 120 A, 0.0086 ohm, TO-268HV, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 735W
Bauform - Transistor: TO-268HV
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe X3-Class HiPerFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0086ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: LITTELFUSE - IXFT120N30X3HV - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 120 A, 0.0086 ohm, TO-268HV, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 735W
Bauform - Transistor: TO-268HV
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe X3-Class HiPerFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0086ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)





