IXFT150N17T2

IXFT150N17T2 Littelfuse Inc.



Виробник: Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 175V 150A TO268HV
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 233 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 175 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-268HV (IXFT)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 880W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFT150N17T2 Littelfuse Inc.

Description: MOSFET N-CH 175V 150A TO268HV, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14600 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 233 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 175 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Supplier Device Package: TO-268HV (IXFT), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA, Power Dissipation (Max): 880W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 75A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA, Packaging: Tube.

Інші пропозиції IXFT150N17T2

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXFT150N17T2 IXFT150N17T2 Виробник : IXYS ixyss05138_1-2272122.pdf MOSFET MSFT N-CH TRENCH GATE -GEN2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.