Продукція > LITTELFUSE > IXFT150N20T
IXFT150N20T

IXFT150N20T Littelfuse

fusediscretemosfetsnchanneltrenchgateixf150n20tdatasheet.pdf Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 200V 150A 3-Pin(2+Tab) TO-268AA
на замовлення 97 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1159.15 грн
10+1049.37 грн
25+1016.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFT150N20T Littelfuse

Description: MOSFET N-CH 200V 150A TO268, Packaging: Tube, Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 75A, 10V, Power Dissipation (Max): 890W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA, Supplier Device Package: TO-268AA, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 177 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11700 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXFT150N20T за ціною від 1094.21 грн до 1248.32 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXFT150N20T IXFT150N20T Виробник : Littelfuse fusediscretemosfetsnchanneltrenchgateixf150n20tdatasheet.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 150A 3-Pin(2+Tab) TO-268AA
на замовлення 97 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+1248.32 грн
11+1130.09 грн
25+1094.21 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT150N20T IXFT150N20T Виробник : Littelfuse _mosfets_n-channel_trench_gate_ixf_150n20t_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 150A 3-Pin(2+Tab) TO-268AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT150N20T IXFT150N20T Виробник : IXYS IXFH(T)150N20T.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 150A; 890W; TO268; 100ns
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 150A
Case: TO268
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 15mΩ
Power dissipation: 890W
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 177nC
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Type of transistor: N-MOSFET
Reverse recovery time: 100ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT150N20T IXFT150N20T Виробник : Littelfuse Inc. littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixf_150n20t_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 150A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 890W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-268AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 177 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11700 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT150N20T IXFT150N20T Виробник : IXYS media-3320194.pdf MOSFETs Trench HiperFETs Power MOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT150N20T IXFT150N20T Виробник : IXYS IXFH(T)150N20T.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 150A; 890W; TO268; 100ns
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 150A
Case: TO268
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 15mΩ
Power dissipation: 890W
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 177nC
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Type of transistor: N-MOSFET
Reverse recovery time: 100ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.