Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFT150N30X3HV-TRL Littelfuse
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; 300V; 150A; 890W; D3PAK,TO268; 167ns, Mounting: SMD, Power dissipation: 890W, Gate charge: 177nC, Technology: HiPerFET™, Drain current: 150A, Kind of channel: enhancement, Drain-source voltage: 300V, Type of transistor: N-MOSFET, Gate-source voltage: 20V, Case: D3PAK; TO268, On-state resistance: 8.3mΩ, Reverse recovery time: 167ns.
Інші пропозиції IXFT150N30X3HV-TRL
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| IXFT150N30X3HV-TRL | IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; 300V; 150A; 890W; D3PAK,TO268; 167ns Mounting: SMD Power dissipation: 890W Gate charge: 177nC Technology: HiPerFET™ Drain current: 150A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 300V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: 20V Case: D3PAK; TO268 On-state resistance: 8.3mΩ Reverse recovery time: 167ns |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 400 шт В кошику од. на суму грн. |
| IXFT150N30X3HV-TRL |
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 300V; 150A; 890W; D3PAK,TO268; 167ns
Mounting: SMD
Power dissipation: 890W
Gate charge: 177nC
Technology: HiPerFET™
Drain current: 150A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 300V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: 20V
Case: D3PAK; TO268
On-state resistance: 8.3mΩ
Reverse recovery time: 167ns
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 300V; 150A; 890W; D3PAK,TO268; 167ns
Mounting: SMD
Power dissipation: 890W
Gate charge: 177nC
Technology: HiPerFET™
Drain current: 150A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 300V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: 20V
Case: D3PAK; TO268
On-state resistance: 8.3mΩ
Reverse recovery time: 167ns
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику
од. на суму грн.