Продукція > IXYS > IXFT150N30X3HV
IXFT150N30X3HV

IXFT150N30X3HV IXYS

IXF_150N30X3_HV.pdf 300VProductBrief.pdf
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 150A; 890W; TO268
Mounting: SMD
Power dissipation: 890W
Gate charge: 254nC
Polarisation: unipolar
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Drain current: 150A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 300V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO268
On-state resistance: 8.3mΩ
Reverse recovery time: 167ns
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1461.60 грн
3+1276.77 грн
5+1219.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 14-30 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFT150N30X3HV IXYS

Description: LITTELFUSE - IXFT150N30X3HV - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 150 A, 0.0066 ohm, TO-268HV, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 300V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 150A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 890W, Bauform - Transistor: TO-268HV, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Produktreihe X3-Class HiPerFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0066ohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції IXFT150N30X3HV за ціною від 1011.80 грн до 2125.34 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXFT150N30X3HV IXFT150N30X3HV IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=83A64F6F-6A47-48A3-8B4F-76282D76D8B6&filename=Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Ultra-Junction-IXF-150N30X3-Datasheet.PDF Description: MOSFET N-CH 300V 150A TO268HV
на замовлення 1463 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1990.39 грн
30+1229.32 грн
60+1147.69 грн
120+1012.70 грн
510+1011.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT150N30X3HV IXFT150N30X3HV IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Ultra_Junction_IXF_150N30X3_Datasheet.PDF MOSFETs TO268 300V 150A N-CH X3CLASS
на замовлення 9 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+2068.33 грн
10+1454.81 грн
120+1171.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT150N30X3HV IXFT150N30X3HV Ixys Corporation media.pdf Trans MOSFET N-CH 300V 150A 3-Pin(2+Tab) TO-268HV
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+2125.34 грн
10+1920.14 грн
30+1890.34 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT150N30X3HV IXFT150N30X3HV LITTELFUSE LFSI-S-A0009901606-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: LITTELFUSE - IXFT150N30X3HV - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 150 A, 0.0066 ohm, TO-268HV, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 890W
Bauform - Transistor: TO-268HV
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe X3-Class HiPerFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0066ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT150N30X3HV media?resourcetype=datasheets&itemid=83A64F6F-6A47-48A3-8B4F-76282D76D8B6&filename=Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Ultra-Junction-IXF-150N30X3-Datasheet.PDF
IXFT150N30X3HV
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 300V 150A TO268HV
на замовлення 1463 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1990.39 грн
30+1229.32 грн
60+1147.69 грн
120+1012.70 грн
510+1011.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT150N30X3HV Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Ultra_Junction_IXF_150N30X3_Datasheet.PDF
IXFT150N30X3HV
Виробник: IXYS
MOSFETs TO268 300V 150A N-CH X3CLASS
на замовлення 9 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2068.33 грн
10+1454.81 грн
120+1171.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT150N30X3HV media.pdf
IXFT150N30X3HV
Виробник: Ixys Corporation
Trans MOSFET N-CH 300V 150A 3-Pin(2+Tab) TO-268HV
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+2125.34 грн
10+1920.14 грн
30+1890.34 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT150N30X3HV LFSI-S-A0009901606-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXFT150N30X3HV
Виробник: LITTELFUSE
Description: LITTELFUSE - IXFT150N30X3HV - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 150 A, 0.0066 ohm, TO-268HV, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 890W
Bauform - Transistor: TO-268HV
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe X3-Class HiPerFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0066ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.