Продукція > IXYS > IXFT150N30X3HV
IXFT150N30X3HV

IXFT150N30X3HV IXYS

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FBD908A9A238BF&compId=IXF_150N30X3_HV.pdf?ci_sign=c02cea29174068e52cd342ee0467b4c4f54d34e5 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FC1CCCD2D4B8BF&compId=300VProductBrief.pdf?ci_sign=243527b0db45b2a88c7e85e44a9cf5e3419beb5c Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 150A; 890W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 150A
Power dissipation: 890W
Case: TO268
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 254nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 167ns
Technology: HiPerFET™; X3-Class
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1362.17 грн
3+1195.39 грн
10+1149.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFT150N30X3HV IXYS

Description: LITTELFUSE - IXFT150N30X3HV - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 150 A, 0.0066 ohm, TO-268HV, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 300V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 150A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 890W, Bauform - Transistor: TO-268HV, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Produktreihe X3-Class HiPerFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0066ohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції IXFT150N30X3HV за ціною від 917.72 грн до 1765.62 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXFT150N30X3HV IXFT150N30X3HV Виробник : Littelfuse Inc. Description: MOSFET N-CH 300V 150A TO268HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 890W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-268HV (IXFT)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 254 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13100 pF @ 25 V
на замовлення 314 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1630.83 грн
30+1012.98 грн
120+917.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT150N30X3HV IXFT150N30X3HV Виробник : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FBD908A9A238BF&compId=IXF_150N30X3_HV.pdf?ci_sign=c02cea29174068e52cd342ee0467b4c4f54d34e5 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FC1CCCD2D4B8BF&compId=300VProductBrief.pdf?ci_sign=243527b0db45b2a88c7e85e44a9cf5e3419beb5c Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 150A; 890W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 150A
Power dissipation: 890W
Case: TO268
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 254nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 167ns
Technology: HiPerFET™; X3-Class
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1634.61 грн
3+1489.64 грн
10+1379.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT150N30X3HV IXFT150N30X3HV Виробник : IXYS Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Ultra-Junction-IXF-150N30X3-Datasheet.PDF MOSFETs TO268 300V 150A N-CH X3CLASS
на замовлення 283 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1702.29 грн
10+1201.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT150N30X3HV IXFT150N30X3HV Виробник : LITTELFUSE LFSI-S-A0009901606-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: LITTELFUSE - IXFT150N30X3HV - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 150 A, 0.0066 ohm, TO-268HV, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 890W
Bauform - Transistor: TO-268HV
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe X3-Class HiPerFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0066ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1756.71 грн
5+1635.97 грн
10+1514.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT150N30X3HV IXFT150N30X3HV Виробник : Ixys Corporation media.pdf Trans MOSFET N-CH 300V 150A 3-Pin(2+Tab) TO-268HV
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+1765.62 грн
10+1595.15 грн
30+1570.39 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT150N30X3HV IXFT150N30X3HV Виробник : Littelfuse fets_n-channel_ultra_junction_ixf_150n30x3_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 300V 150A 3-Pin(2+Tab) TO-268HV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT150N30X3HV IXFT150N30X3HV Виробник : Littelfuse discretemosfetsnchannelultrajunctionixf150n30x3datasheet.pdf Trans MOSFET N-CH 300V 150A 3-Pin(2+Tab) TO-268HV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT150N30X3HV IXFT150N30X3HV Виробник : Littelfuse discretemosfetsnchannelultrajunctionixf150n30x3datasheet.pdf Trans MOSFET N-CH 300V 150A 3-Pin(2+Tab) TO-268HV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.