IXFT16N120P IXYS
Виробник: IXYSDescription: MOSFET N-CH 1200V 16A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 660W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-268AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 25 V
на замовлення 101 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1421.29 грн |
| 10+ | 1216.15 грн |
| 100+ | 1063.65 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFT16N120P IXYS
Description: MOSFET N-CH 1200V 16A TO268, Packaging: Tube, Package / Case: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 660W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-268AA, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXFT16N120P за ціною від 1319.25 грн до 1507.31 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXFT16N120P | Виробник : IXYS |
MOSFET 16 Amps 1200V 1 Rds |
на замовлення 37 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||
 |
IXFT16N120P | Виробник : IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 16A; 660W; TO268 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 16A Power dissipation: 660W Case: TO268 On-state resistance: 0.95Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.12µC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||
|
|
IXFT16N120P | Виробник : IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 16A; 660W; TO268 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 16A Power dissipation: 660W Case: TO268 On-state resistance: 0.95Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.12µC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |