Продукція > IXYS > IXFT16N80P
IXFT16N80P

IXFT16N80P IXYS


IXFH16N80P.pdf Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 16A; 460W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 16A
Power dissipation: 460W
Case: TO268
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній

Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFT16N80P IXYS

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 16A; 460W; TO268, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 800V, Drain current: 16A, Power dissipation: 460W, Case: TO268, On-state resistance: 0.6Ω, Mounting: SMD, Gate charge: 70nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції IXFT16N80P

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IXFT16N80P IXFT16N80P Виробник : IXYS 99599E.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 16A TO-268
товар відсутній
IXFT16N80P IXFT16N80P Виробник : IXYS media-3321411.pdf MOSFET 16 Amps 800V 0.6 Rds
товар відсутній
IXFT16N80P IXFT16N80P Виробник : IXYS IXFH16N80P.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 16A; 460W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 16A
Power dissipation: 460W
Case: TO268
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній