Продукція > IXYS > IXFT180N20X3HV
IXFT180N20X3HV

IXFT180N20X3HV IXYS

IXF_180N20X3_HV.pdf 200VProductBrief.pdf Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 180A; 780W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 180A
Power dissipation: 780W
Case: TO268
On-state resistance: 7.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 154nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 94ns
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1222.36 грн
2+910.24 грн
3+859.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFT180N20X3HV IXYS

Description: MOSFET N-CH 200V 180A TO268HV, Packaging: Tube, Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 90A, 10V, Power Dissipation (Max): 780W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA, Supplier Device Package: TO-268HV (IXFT), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 154 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10300 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXFT180N20X3HV за ціною від 1013.06 грн до 1466.84 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXFT180N20X3HV IXFT180N20X3HV Виробник : Ixys Corporation media.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 180A 3-Pin(2+Tab) TO-268HV
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+1291.15 грн
11+1166.45 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT180N20X3HV IXFT180N20X3HV Виробник : Littelfuse Inc. Description: MOSFET N-CH 200V 180A TO268HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 780W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-268HV (IXFT)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 154 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10300 pF @ 25 V
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1353.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT180N20X3HV IXFT180N20X3HV Виробник : IXYS IXF_180N20X3_HV.pdf 200VProductBrief.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 180A; 780W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 180A
Power dissipation: 780W
Case: TO268
On-state resistance: 7.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 154nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 94ns
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1466.84 грн
2+1134.30 грн
3+1031.92 грн
30+1013.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT180N20X3HV IXFT180N20X3HV Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 180A 3-Pin(2+Tab) TO-268HV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT180N20X3HV IXFT180N20X3HV Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 180A 3-Pin(2+Tab) TO-268HV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT180N20X3HV IXFT180N20X3HV Виробник : IXYS media-3323551.pdf MOSFETs TO268 200V 180A N-CH X3CLASS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.