Технічний опис IXFT18N100Q3 IXYS
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 18A; 830W; TO268, Mounting: SMD, Case: TO268, Kind of package: tube, Power dissipation: 830W, Polarisation: unipolar, Gate charge: 90nC, Kind of channel: enhanced, Drain-source voltage: 1kV, Drain current: 18A, On-state resistance: 0.66Ω, Type of transistor: N-MOSFET, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції IXFT18N100Q3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IXFT18N100Q3 | Виробник : Littelfuse |
 Trans MOSFET N-CH 1KV 18A 3-Pin(2+Tab) TO-268 |
товар відсутній |
|
 |
IXFT18N100Q3 | Виробник : IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 18A; 830W; TO268 Mounting: SMD Case: TO268 Kind of package: tube Power dissipation: 830W Polarisation: unipolar Gate charge: 90nC Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 1kV Drain current: 18A On-state resistance: 0.66Ω Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|
 |
IXFT18N100Q3 | Виробник : IXYS |
MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/18A |
товар відсутній |
|
|
|
IXFT18N100Q3 | Виробник : IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 18A; 830W; TO268 Mounting: SMD Case: TO268 Kind of package: tube Power dissipation: 830W Polarisation: unipolar Gate charge: 90nC Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 1kV Drain current: 18A On-state resistance: 0.66Ω Type of transistor: N-MOSFET |
товар відсутній |