Продукція > IXYS SEMICONDUCTOR > IXFT18N100Q3
IXFT18N100Q3

IXFT18N100Q3 IXYS SEMICONDUCTOR

LFSI-S-A0009972204-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFT18N100Q3 - Leistungs-MOSFET, Klasse Q3, n-Kanal, 1 kV, 18 A, 0.66 ohm, TO-268 (D3PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 830W
Bauform - Transistor: TO-268 (D3PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HiperFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.66ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+739.45 грн
5+724.60 грн
10+709.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFT18N100Q3 IXYS SEMICONDUCTOR

Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFT18N100Q3 - Leistungs-MOSFET, Klasse Q3, n-Kanal, 1 kV, 18 A, 0.66 ohm, TO-268 (D3PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 1kV, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 18A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 830W, Bauform - Transistor: TO-268 (D3PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HiperFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.66ohm, SVHC: Lead (17-Jan-2023).

Інші пропозиції IXFT18N100Q3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXFT18N100Q3 IXFT18N100Q3 Виробник : Littelfuse e_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_18n100q3_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 1KV 18A 3-Pin(2+Tab) TO-268
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT18N100Q3 Виробник : IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_18n100q3_datasheet.pdf.pdf IXFT18N100Q3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT18N100Q3 IXFT18N100Q3 Виробник : Littelfuse Inc. littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_18n100q3_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 1000V 18A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 660mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 830W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-268AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4890 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT18N100Q3 IXFT18N100Q3 Виробник : IXYS media-3322677.pdf MOSFETs Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/18A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.