IXFT20N100P

IXFT20N100P Littelfuse


te_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_20n100p_datasheet.pdf.pdf Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 1KV 20A 3-Pin(2+Tab) D3PAK
товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFT20N100P Littelfuse

Description: MOSFET N-CH 1000V 20A TO268, Packaging: Tube, Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 570mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 660W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-268AA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXFT20N100P

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXFT20N100P IXFT20N100P Виробник : Littelfuse screte-mosfets-n-channel-hiperfets-ixf-20n100p-datasheet.pdf Trans MOSFET N-CH 1KV 20A 3-Pin(2+Tab) D3PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT20N100P IXFT20N100P Виробник : IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=666BB41E-FF63-4202-B1FD-47F422FD871C&filename=Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-HiPerFETs-IXF-20N100P-Datasheet.PDF Description: MOSFET N-CH 1000V 20A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 570mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 660W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-268AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT20N100P IXFT20N100P Виробник : IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXF_20N100P_Datasheet.PDF MOSFETs 20 Amps 1000V 1 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT20N100P IXFT20N100P Виробник : IXYS IXF_20N100P.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 20A; 660W; TO268; 300ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 20A
Power dissipation: 660W
Case: TO268
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 570mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 126nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 300ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.