на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 1154.02 грн |
| 20+ | 1123.03 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFT220N20X3HV Littelfuse
Description: LITTELFUSE - IXFT220N20X3HV - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 220 A, 0.0052 ohm, TO-268HV, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 220A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 890W, Bauform - Transistor: TO-268HV, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Produktreihe X3-Class HiPerFET, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0052ohm, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції IXFT220N20X3HV за ціною від 913.22 грн до 1700.00 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXFT220N20X3HV | Виробник : Littelfuse Inc. |
Description: MOSFET N-CH 200V 220A TO268HV Packaging: Tube Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 110A, 10V Power Dissipation (Max): 960W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA Supplier Device Package: TO-268HV (IXFT) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 204 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13600 pF @ 25 V |
на замовлення 2364 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IXFT220N20X3HV | Виробник : LITTELFUSE |
 Description: LITTELFUSE - IXFT220N20X3HV - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 220 A, 0.0052 ohm, TO-268HV, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 220A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 890W Bauform - Transistor: TO-268HV Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Produktreihe X3-Class HiPerFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0052ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 96 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IXFT220N20X3HV | Виробник : IXYS |
MOSFETs TO268 200V 220A N-CH X3CLASS |
на замовлення 251 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IXFT220N20X3HV | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 200V 220A 3-Pin(2+Tab) TO-268HV |
товару немає в наявності |
|||||||||||
|
|
IXFT220N20X3HV | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 200V 220A 3-Pin(2+Tab) TO-268HV |
товару немає в наявності |
|||||||||||
|
|
IXFT220N20X3HV | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 200V 220A 3-Pin(2+Tab) TO-268HV |
товару немає в наявності |
|||||||||||
 |
IXFT220N20X3HV | Виробник : IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 220A; 960W; TO268 Reverse recovery time: 116ns Drain-source voltage: 200V Drain current: 220A On-state resistance: 6.2mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 960W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 204nC Technology: HiPerFET™; X3-Class Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: TO268 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||
|
|
IXFT220N20X3HV | Виробник : IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 220A; 960W; TO268 Reverse recovery time: 116ns Drain-source voltage: 200V Drain current: 220A On-state resistance: 6.2mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 960W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 204nC Technology: HiPerFET™; X3-Class Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: TO268 |
товару немає в наявності |