Технічний опис IXFT220N20X3HV Littelfuse
Description: LITTELFUSE - IXFT220N20X3HV - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 220 A, 0.0052 ohm, TO-268HV, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 220A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 890W, Bauform - Transistor: TO-268HV, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Produktreihe X3-Class HiPerFET, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0052ohm, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції IXFT220N20X3HV за ціною від 847.22 грн до 1505.12 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IXFT220N20X3HV | IXYS |
Description: MOSFET N-CH 200V 220A TO268HVFET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13600 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 204 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-268HV (IXFT) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA Power Dissipation (Max): 960W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 110A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220A (Tc) |
на замовлення 1069 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
IXFT220N20X3HV | IXYS |
MOSFETs TO268 200V 220A N-CH X3CLASS |
на замовлення 378 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
IXFT220N20X3HV | LITTELFUSE |
Description: LITTELFUSE - IXFT220N20X3HV - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 220 A, 0.0052 ohm, TO-268HV, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 220A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 890W Bauform - Transistor: TO-268HV Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Produktreihe X3-Class HiPerFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0052ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 96 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IXFT220N20X3HV |
![]() |
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 200V 220A TO268HV
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 204 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-268HV (IXFT)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Power Dissipation (Max): 960W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 110A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220A (Tc)
Description: MOSFET N-CH 200V 220A TO268HV
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 204 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-268HV (IXFT)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Power Dissipation (Max): 960W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 110A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220A (Tc)
на замовлення 1069 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1505.12 грн |
| 30+ | 920.98 грн |
| 120+ | 847.22 грн |
| IXFT220N20X3HV |
![]() |
Виробник: IXYS
MOSFETs TO268 200V 220A N-CH X3CLASS
MOSFETs TO268 200V 220A N-CH X3CLASS
на замовлення 378 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IXFT220N20X3HV |
![]() |
Виробник: LITTELFUSE
Description: LITTELFUSE - IXFT220N20X3HV - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 220 A, 0.0052 ohm, TO-268HV, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 220A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 890W
Bauform - Transistor: TO-268HV
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe X3-Class HiPerFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0052ohm
SVHC: To Be Advised
Description: LITTELFUSE - IXFT220N20X3HV - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 220 A, 0.0052 ohm, TO-268HV, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 220A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 890W
Bauform - Transistor: TO-268HV
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe X3-Class HiPerFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0052ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)





