IXFT24N90P IXYS
Виробник: IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 900V; 24A; 660W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 24A
Case: TO268
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.42Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 300ns
Power dissipation: 660W
Gate charge: 130nC
Technology: HiPerFET™; Polar™
на замовлення 251 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 868.16 грн |
| 2+ | 783.67 грн |
| 3+ | 762.74 грн |
| 4+ | 741.04 грн |
| 10+ | 713.13 грн |
| 30+ | 712.36 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFT24N90P IXYS
Description: MOSFET N-CH 900V 24A TO268, Packaging: Tube, Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 12A, 10V, Power Dissipation (Max): 660W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-268AA, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXFT24N90P за ціною від 854.83 грн до 1173.21 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IXFT24N90P | Виробник : IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 900V; 24A; 660W; TO268 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 24A Case: TO268 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.42Ω Mounting: SMD Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 300ns Power dissipation: 660W Gate charge: 130nC Technology: HiPerFET™; Polar™ кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 251 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IXFT24N90P | Виробник : IXYS |
MOSFETs PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds |
на замовлення 56 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IXFT24N90P | Виробник : Ixys Corporation |
Trans MOSFET N-CH 900V 24A 3-Pin(2+Tab) TO-268 |
на замовлення 251 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IXFT24N90P | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 900V 24A 3-Pin(2+Tab) TO-268 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
IXFT24N90P | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 900V 24A 3-Pin(2+Tab) TO-268 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
IXFT24N90P | Виробник : Littelfuse Inc. |
Description: MOSFET N-CH 900V 24A TO268 Packaging: Tube Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 660W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-268AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |