Продукція > IXYS > IXFT24N90P
IXFT24N90P

IXFT24N90P IXYS

IXF_24N90P.pdf Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 900V; 24A; 660W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 24A
Power dissipation: 660W
Case: TO268
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.42Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 130nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 300ns
на замовлення 296 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1026.09 грн
2+ 758.36 грн
3+ 716.85 грн
30+ 703.7 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFT24N90P IXYS

Description: MOSFET N-CH 900V 24A TO268, Packaging: Tube, Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 12A, 10V, Power Dissipation (Max): 660W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-268AA, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXFT24N90P за ціною від 696.89 грн до 1231.3 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IXFT24N90P IXFT24N90P Виробник : IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_24n90p_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 900V 24A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 660W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-268AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 25 V
на замовлення 570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1116.62 грн
30+ 870.62 грн
120+ 819.41 грн
510+ 696.89 грн
IXFT24N90P IXFT24N90P Виробник : IXYS media-3319559.pdf MOSFET PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds
на замовлення 162 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1212.82 грн
10+ 1053.41 грн
30+ 842.28 грн
60+ 841.61 грн
120+ 791.8 грн
270+ 767.22 грн
510+ 716.73 грн
IXFT24N90P IXFT24N90P Виробник : IXYS IXF_24N90P.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 900V; 24A; 660W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 24A
Power dissipation: 660W
Case: TO268
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.42Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 130nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 300ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 296 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1231.3 грн
2+ 945.03 грн
3+ 860.21 грн
30+ 844.44 грн
IXFT24N90P IXFT24N90P Виробник : Littelfuse ete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_24n90p_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 900V 24A 3-Pin(2+Tab) TO-268
товар відсутній