
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 896.56 грн |
30+ | 860.38 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFT24N90P IXYS
Description: MOSFET N-CH 900V 24A TO268, Packaging: Tube, Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 12A, 10V, Power Dissipation (Max): 660W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-268AA, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXFT24N90P за ціною від 666.27 грн до 1206.41 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IXFT24N90P | Виробник : Littelfuse Inc. |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 660W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-268AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 25 V |
на замовлення 650 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IXFT24N90P | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 900V; 24A; 660W; TO268 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 24A Power dissipation: 660W Case: TO268 On-state resistance: 0.42Ω Mounting: SMD Gate charge: 130nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 300ns Technology: HiPerFET™; Polar™ Gate-source voltage: ±30V |
на замовлення 251 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IXFT24N90P | Виробник : Ixys Corporation |
![]() |
на замовлення 251 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IXFT24N90P | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 900V; 24A; 660W; TO268 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 24A Power dissipation: 660W Case: TO268 On-state resistance: 0.42Ω Mounting: SMD Gate charge: 130nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 300ns Technology: HiPerFET™; Polar™ Gate-source voltage: ±30V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 251 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IXFT24N90P | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||
![]() |
IXFT24N90P | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товару немає в наявності |