IXFT26N100XHV IXYS
Виробник: IXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 26A TO268HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 860mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-268HV (IXFT)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3290 pF @ 25 V
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1377.46 грн |
| 10+ | 1168.54 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFT26N100XHV IXYS
Description: MOSFET N-CH 1000V 26A TO268HV, Packaging: Tube, Package / Case: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 860mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 4mA, Supplier Device Package: TO-268HV (IXFT), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3290 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXFT26N100XHV за ціною від 1264.25 грн до 1456.16 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXFT26N100XHV | Виробник : IXYS |
MOSFET 1000V 26A TO-268HV Power MOSFET |
на замовлення 299 шт: термін постачання 478-487 дні (днів) |
|