Продукція > LITTELFUSE > IXFT26N100XHV
IXFT26N100XHV

IXFT26N100XHV Littelfuse


media.pdf Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 1KV 26A 3-Pin(2+Tab) TO-268HV
на замовлення 6210 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
30+897.75 грн
840+888.76 грн
1500+879.85 грн
3000+847.19 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFT26N100XHV Littelfuse

Description: MOSFET N-CH 1000V 26A TO268HV, Packaging: Tube, Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 860mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 4mA, Supplier Device Package: TO-268HV (IXFT), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3290 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXFT26N100XHV за ціною від 912.36 грн до 1499.44 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXFT26N100XHV IXFT26N100XHV Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 1KV 26A 3-Pin(2+Tab) TO-268HV
на замовлення 6210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
30+966.81 грн
840+957.13 грн
1500+947.53 грн
3000+912.36 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT26N100XHV IXFT26N100XHV Виробник : IXYS media-3319036.pdf MOSFETs 1000V 26A TO-268HV Power MOSFET
на замовлення 265 шт:
термін постачання 245-254 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1499.44 грн
10+1277.51 грн
60+1110.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT26N100XHV IXFT26N100XHV Виробник : IXYS littelfuse-discrete-mosfets-n-channel-ultra-junction-ixf-26n100x-datasheet?assetguid=076A027D-4812-49A3-A9F0-F5C4645DC770 Description: MOSFET N-CH 1000V 26A TO268HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 860mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-268HV (IXFT)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3290 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.