на замовлення 858 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1567.92 грн |
| 10+ | 1352.74 грн |
| 30+ | 999.96 грн |
| 60+ | 941.18 грн |
| 120+ | 915.79 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFT320N10T2 IXYS
Description: MOSFET N-CH 100V 320A TO268, Packaging: Tube, Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 100A, 10V, Power Dissipation (Max): 1000W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-268AA, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 430 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26000 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXFT320N10T2
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IXFT320N10T2 | Виробник : Littelfuse |
 Trans MOSFET N-CH 100V 320A 3-Pin(2+Tab) TO-268 |
товару немає в наявності |
|
 |
IXFT320N10T2 | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 100V 320A 3-Pin(2+Tab) TO-268 |
товару немає в наявності |
|
 |
IXFT320N10T2 | Виробник : IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 320A; 1000W; TO268; 98ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 320A Power dissipation: 1kW Case: TO268 On-state resistance: 3.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 430nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 98ns Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|
 |
IXFT320N10T2 | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 100V 320A TO268 Packaging: Tube Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 1000W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-268AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 430 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26000 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|
|
|
IXFT320N10T2 | Виробник : IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 320A; 1000W; TO268; 98ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 320A Power dissipation: 1kW Case: TO268 On-state resistance: 3.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 430nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 98ns Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet |
товару немає в наявності |