IXFT32N100XHV IXYS
Виробник: IXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 32A TO268HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 890W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-268HV (IXFT)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4075 pF @ 25 V
на замовлення 794 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1519.02 грн |
| 30+ | 1212.73 грн |
| 120+ | 1136.92 грн |
| 510+ | 910.47 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFT32N100XHV IXYS
Description: MOSFET N-CH 1000V 32A TO268HV, Packaging: Tube, Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 16A, 10V, Power Dissipation (Max): 890W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 4mA, Supplier Device Package: TO-268HV (IXFT), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4075 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXFT32N100XHV за ціною від 1013.22 грн до 1649.07 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXFT32N100XHV | Виробник : IXYS |
MOSFET 1000V 32A TO-268HV Power MOSFET |
на замовлення 359 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|