
IXFT36N60P Littelfuse Inc.

Description: MOSFET N-CH 600V 36A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 650W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-268AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5800 pF @ 25 V
на замовлення 570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
300+ | 534.51 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFT36N60P Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 600V 36A TO268, Packaging: Tube, Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 18A, 10V, Power Dissipation (Max): 650W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA, Supplier Device Package: TO-268AA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5800 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXFT36N60P
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
IXFT36N60P | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
IXFT36N60P | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 36A; 650W; TO268 Drain-source voltage: 600V Drain current: 36A On-state resistance: 0.19Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 650W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 102nC Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Case: TO268 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|
![]() |
IXFT36N60P | Виробник : IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
IXFT36N60P | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 36A; 650W; TO268 Drain-source voltage: 600V Drain current: 36A On-state resistance: 0.19Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 650W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 102nC Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Case: TO268 |
товару немає в наявності |