на замовлення 263 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1448.24 грн |
| 10+ | 1143.65 грн |
| 120+ | 803.50 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFT400N075T2 IXYS
Description: MOSFET N-CH 75V 400A TO268, Packaging: Tube, Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V, Power Dissipation (Max): 1000W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-268AA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 420 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24000 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXFT400N075T2
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
|
IXFT400N075T2 | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 75V 400A 3-Pin(2+Tab) D3PAK |
товару немає в наявності |
|
|
IXFT400N075T2 | Виробник : Littelfuse Inc. |
Description: MOSFET N-CH 75V 400A TO268Packaging: Tube Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 1000W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-268AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 420 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24000 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|
|
IXFT400N075T2 | Виробник : IXYS |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 400A; 1000W; TO268; 77ns Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet Polarisation: unipolar Gate charge: 420nC Reverse recovery time: 77ns On-state resistance: 2.3mΩ Power dissipation: 1kW Drain current: 400A Drain-source voltage: 75V Kind of package: tube Case: TO268 |
товару немає в наявності |



