IXFT50N30Q3 IXYS

Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 300V 50A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 690W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-268AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3165 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис IXFT50N30Q3 IXYS

Description: MOSFET N-CH 300V 50A TO268, Packaging: Tube, Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 690W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 4mA, Supplier Device Package: TO-268AA, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3165 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXFT50N30Q3

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна без ПДВ
	IXFT50N30Q3	IXYS	MOSFETs Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 300V/50A	товару немає в наявності Підписка на надходження	Мінімальне замовлення: 300 шт В кошику од. на суму грн.
	IXFT50N30Q3	IXYS	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 50A; 690W; TO268 Power dissipation: 690W Gate charge: 65nC Polarisation: unipolar Drain current: 50A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 300V Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: tube Case: TO268 On-state resistance: 80mΩ Mounting: SMD	товару немає в наявності Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.

IXFT50N30Q3

Виробник: IXYS
MOSFETs Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 300V/50A

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 300 шт

В кошику од. на суму грн.

IXFT50N30Q3

Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 50A; 690W; TO268
Power dissipation: 690W
Gate charge: 65nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 50A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 300V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Case: TO268
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.