Продукція > IXYS > IXFT50N50P3
IXFT50N50P3

IXFT50N50P3 IXYS


media-3321998.pdf Виробник: IXYS
MOSFETs N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode
на замовлення 31 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+941.43 грн
10+817.82 грн
30+704.62 грн
60+573.27 грн
1020+559.49 грн
2520+554.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFT50N50P3 IXYS

Description: MOSFET N-CH 500V 50A TO268, Packaging: Tube, Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 960W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA, Supplier Device Package: TO-268AA, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 0 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4335 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXFT50N50P3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXFT50N50P3
Код товару: 152492
Додати до обраних Обраний товар

littelfuse-discrete-mosfets-ixf-50n50p3-datasheet?assetguid=9f18c4f6-a40a-4871-ba8b-9eaf25daedcd Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT50N50P3 IXFT50N50P3 Виробник : Littelfuse te_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_50n50p3_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 50A 3-Pin(2+Tab) TO-268AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT50N50P3 IXFT50N50P3 Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 50A 3-Pin(2+Tab) TO-268AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT50N50P3 IXFT50N50P3 Виробник : IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixf-50n50p3-datasheet?assetguid=9f18c4f6-a40a-4871-ba8b-9eaf25daedcd Description: MOSFET N-CH 500V 50A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 960W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-268AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 0 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4335 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.