
IXFT50N60P3 IXYS

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO268
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 264 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 778.51 грн |
2+ | 592.99 грн |
5+ | 560.31 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFT50N60P3 IXYS
Description: MOSFET N-CH 600V 50A TO268, Packaging: Tube, Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 1040W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA, Supplier Device Package: TO-268AA, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXFT50N60P3 за ціною від 495.81 грн до 1113.57 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IXFT50N60P3 | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO268 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 50A Power dissipation: 1.04kW Case: TO268 On-state resistance: 0.16Ω Mounting: SMD Gate charge: 94nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 264 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IXFT50N60P3 | Виробник : IXYS |
![]() |
на замовлення 28 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IXFT50N60P3 | Виробник : Ixys Corporation |
![]() |
на замовлення 292 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
IXFT50N60P3 Код товару: 152198
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||
![]() |
IXFT50N60P3 | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||
![]() |
IXFT50N60P3 | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||
![]() |
IXFT50N60P3 | Виробник : Littelfuse Inc. |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 1040W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA Supplier Device Package: TO-268AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |