
IXFT50N60X IXYS

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 660W; TO268; 195ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 660W
Case: TO268
On-state resistance: 73mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 116nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 195ns
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 924.94 грн |
2+ | 614.44 грн |
4+ | 580.81 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFT50N60X IXYS
Description: MOSFET N-CH 600V 50A TO268, Packaging: Tube, Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 660W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA, Supplier Device Package: TO-268, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4660 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXFT50N60X за ціною від 696.97 грн до 1260.05 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IXFT50N60X | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 660W; TO268; 195ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 50A Power dissipation: 660W Case: TO268 On-state resistance: 73mΩ Mounting: SMD Gate charge: 116nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: ultra junction x-class Reverse recovery time: 195ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 14 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||
IXFT50N60X | Виробник : Ixys Corporation | IXFT50N60X |
на замовлення 14 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||
![]() |
IXFT50N60X | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 600V 50A TO268 Packaging: Tube Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 660W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA Supplier Device Package: TO-268 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4660 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|||||||||
![]() |
IXFT50N60X | Виробник : IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |