Продукція > IXYS > IXFT50N60X
IXFT50N60X

IXFT50N60X IXYS

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D4BFA14AED1820&compId=IXFH(Q%2CT)50N60X.pdf?ci_sign=4f276076f8a13b14449da0ce3f84380c73548c0a Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 660W; TO268; 195ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 660W
Case: TO268
On-state resistance: 73mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 116nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 195ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+974.98 грн
2+648.47 грн
3+647.68 грн
4+613.01 грн
10+612.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFT50N60X IXYS

Description: MOSFET N-CH 600V 50A TO268, Packaging: Tube, Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 660W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA, Supplier Device Package: TO-268, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4660 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXFT50N60X за ціною від 734.67 грн до 1269.18 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXFT50N60X IXFT50N60X Виробник : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D4BFA14AED1820&compId=IXFH(Q%2CT)50N60X.pdf?ci_sign=4f276076f8a13b14449da0ce3f84380c73548c0a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 660W; TO268; 195ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 660W
Case: TO268
On-state resistance: 73mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 116nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 195ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1169.98 грн
2+808.10 грн
3+777.22 грн
4+735.62 грн
10+734.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT50N60X Виробник : Ixys Corporation IXFT50N60X
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+1269.18 грн
12+1101.66 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT50N60X IXFT50N60X Виробник : IXYS Description: MOSFET N-CH 600V 50A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 660W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-268
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4660 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT50N60X IXFT50N60X Виробник : IXYS media-3322644.pdf MOSFETs DiscMSFT NCh UltrJnctn XClass TO-268AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.