Продукція > IXYS > IXFT50N85XHV
IXFT50N85XHV

IXFT50N85XHV IXYS

Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Ultra_Junction_IXF_50N85X_Datasheet.PDF Виробник: IXYS
MOSFETs 850V Ultra Junction X-Class Pwr MOSFET
на замовлення 309 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1169.28 грн
10+1024.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFT50N85XHV IXYS

Description: MOSFET N-CH 850V 50A TO268, Packaging: Tube, Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 890W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 4mA, Supplier Device Package: TO-268HV (IXFT), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 850 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4480 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXFT50N85XHV за ціною від 770.86 грн до 1424.27 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXFT50N85XHV IXFT50N85XHV Виробник : IXYS DS100704DIXFTFHFK50N85XHV.pdf Description: MOSFET N-CH 850V 50A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 890W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-268HV (IXFT)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 850 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4480 pF @ 25 V
на замовлення 632 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1424.27 грн
30+860.41 грн
120+770.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT50N85XHV IXFT50N85XHV Виробник : Littelfuse osfets_n-channel_ultra_junction_ixf_50n85x_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 850V 50A 3-Pin(2+Tab) D3PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT50N85XHV IXFT50N85XHV Виробник : IXYS IXF_50N85X.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 850V; 50A; 890W; TO268HV; 218ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 850V
Drain current: 50A
Power dissipation: 890W
Case: TO268HV
On-state resistance: 0.105Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 152nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 218ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.