IXFT60N60X3HV Littelfuse Inc.
Виробник: Littelfuse Inc.Description: MOSFET ULTRA 600V 60A TO268HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 625W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-268HV (IXFT)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3450 pF @ 25 V
на замовлення 186 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 807.75 грн |
| 30+ | 492.75 грн |
| 120+ | 439.99 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFT60N60X3HV Littelfuse Inc.
Description: LITTELFUSE - IXFT60N60X3HV - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 60 A, 0.051 ohm, TO-268HV, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 625W, Bauform - Transistor: TO-268HV, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HiPerFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.051ohm, SVHC: Boric acid (14-Jun-2023).
Інші пропозиції IXFT60N60X3HV за ціною від 454.65 грн до 898.64 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXFT60N60X3HV | Виробник : LITTELFUSE |
Description: LITTELFUSE - IXFT60N60X3HV - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 60 A, 0.051 ohm, TO-268HV, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 625W Bauform - Transistor: TO-268HV Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HiPerFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.051ohm SVHC: Boric acid (14-Jun-2023) |
на замовлення 198 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IXFT60N60X3HV | Виробник : IXYS |
MOSFETs TO268 600V 60A N-CH X3CLASS |
на замовлення 194 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
| IXFT60N60X3HV | Виробник : Littelfuse |
N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
| IXFT60N60X3HV | Виробник : IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 600V; 60A; Idm: 90A; 625W Type of transistor: N-MOSFET Technology: HiPerFET™; X3-Class Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 60A Pulsed drain current: 90A Power dissipation: 625W Case: TO268HV Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 51mΩ Mounting: SMD Gate charge: 51nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 175ns кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
| IXFT60N60X3HV | Виробник : IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 600V; 60A; Idm: 90A; 625W Type of transistor: N-MOSFET Technology: HiPerFET™; X3-Class Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 60A Pulsed drain current: 90A Power dissipation: 625W Case: TO268HV Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 51mΩ Mounting: SMD Gate charge: 51nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 175ns |
товару немає в наявності |