IXFT60N65X2HV IXYS
Виробник: IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 60A; 780W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 60A
Power dissipation: 780W
Case: TO268
On-state resistance: 52mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 108nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 180ns
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Gate-source voltage: ±30V
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 904.40 грн |
| 2+ | 616.81 грн |
| 4+ | 582.80 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFT60N65X2HV IXYS
Description: MOSFET N-CH 650V 60A TO268HV, Packaging: Tube, Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 780W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA, Supplier Device Package: TO-268HV (IXFT), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXFT60N65X2HV за ціною від 699.36 грн до 1085.28 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXFT60N65X2HV | Виробник : Ixys Corporation |
Trans MOSFET N-CH 650V 60A 3-Pin(2+Tab) TO-268HV |
на замовлення 26 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
IXFT60N65X2HV | Виробник : IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 60A; 780W; TO268 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 60A Power dissipation: 780W Case: TO268 On-state resistance: 52mΩ Mounting: SMD Gate charge: 108nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 180ns Technology: HiPerFET™; X2-Class Gate-source voltage: ±30V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 26 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||
 |
IXFT60N65X2HV | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 650V 60A 3-Pin(2+Tab) TO-268HV |
товару немає в наявності |
|||||||||
 |
IXFT60N65X2HV | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 650V 60A 3-Pin(2+Tab) TO-268HV |
товару немає в наявності |
|||||||||
 |
IXFT60N65X2HV | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 650V 60A TO268HV Packaging: Tube Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 780W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA Supplier Device Package: TO-268HV (IXFT) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|||||||||
 |
IXFT60N65X2HV | Виробник : IXYS |
MOSFETs 650V/60A TO-268HV |
товару немає в наявності |