IXFT70N20Q3

IXFT70N20Q3 Littelfuse


media.pdf Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 200V 70A 3-Pin(2+Tab) TO-268
товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFT70N20Q3 Littelfuse

Description: MOSFET N-CH 200V 70A TO268, Packaging: Tube, Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 35A, 10V, Power Dissipation (Max): 690W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 4mA, Supplier Device Package: TO-268AA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3150 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXFT70N20Q3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXFT70N20Q3 IXFT70N20Q3 Виробник : Littelfuse lfusediscretemosfetsnchannelhiperfetsixf70n20q3datasheet.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 70A 3-Pin(2+Tab) TO-268
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT70N20Q3 IXFT70N20Q3 Виробник : IXYS IXFH(T)70N20Q3.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 70A; 690W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 70A
Power dissipation: 690W
Case: TO268
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 67nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT70N20Q3 IXFT70N20Q3 Виробник : IXYS Description: MOSFET N-CH 200V 70A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 690W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-268AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3150 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT70N20Q3 IXFT70N20Q3 Виробник : IXYS media-3319219.pdf MOSFETs Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 200V/70A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT70N20Q3 IXFT70N20Q3 Виробник : IXYS IXFH(T)70N20Q3.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 70A; 690W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 70A
Power dissipation: 690W
Case: TO268
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 67nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.