на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1079.53 грн |
| 10+ | 822.27 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFT70N20Q3 IXYS
Description: MOSFET N-CH 200V 70A TO268, Packaging: Tube, Package / Case: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 35A, 10V, Power Dissipation (Max): 690W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 4mA, Supplier Device Package: TO-268AA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3150 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXFT70N20Q3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IXFT70N20Q3 | Виробник : IXYS |
 Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 70A; 690W; TO268 Drain-source voltage: 200V Drain current: 70A On-state resistance: 40mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 690W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 67nC Kind of channel: enhanced Mounting: SMD Case: TO268 кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|
 |
IXFT70N20Q3 | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 200V 70A 3-Pin(2+Tab) TO-268 |
товар відсутній |
|
 |
IXFT70N20Q3 | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 200V 70A TO268 Packaging: Tube Package / Case: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 690W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 4mA Supplier Device Package: TO-268AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3150 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|
|
|
IXFT70N20Q3 | Виробник : IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 70A; 690W; TO268 Drain-source voltage: 200V Drain current: 70A On-state resistance: 40mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 690W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 67nC Kind of channel: enhanced Mounting: SMD Case: TO268 |
товар відсутній |