на замовлення 513 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1108.89 грн |
| 10+ | 1047.47 грн |
| 30+ | 768.83 грн |
| 120+ | 723.92 грн |
| 270+ | 700.8 грн |
| 510+ | 655.89 грн |
| 1020+ | 631.45 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFT80N65X2HV IXYS
Description: MOSFET N-CH 650V 80A TO268HV, Packaging: Tube, Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc), Power Dissipation (Max): 890W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA, Supplier Device Package: TO-268HV (IXFT), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8300 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXFT80N65X2HV
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
IXFT80N65X2HV Код товару: 177859 |
 Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||
 |
IXFT80N65X2HV | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 650V 80A 3-Pin(2+Tab) D3PAK-HV |
товар відсутній |
|
 |
IXFT80N65X2HV | Виробник : IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 80A; 890W; TO268 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HiPerFET™; X2-Class Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 80A Power dissipation: 890W Case: TO268 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 38mΩ Mounting: SMD Gate charge: 0.14µC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 200ns кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|
 |
IXFT80N65X2HV | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 650V 80A TO268HV Packaging: Tube Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Power Dissipation (Max): 890W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA Supplier Device Package: TO-268HV (IXFT) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8300 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|
|
|
IXFT80N65X2HV | Виробник : IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 80A; 890W; TO268 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HiPerFET™; X2-Class Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 80A Power dissipation: 890W Case: TO268 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 38mΩ Mounting: SMD Gate charge: 0.14µC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 200ns |
товар відсутній |