IXFT80N65X2HV


littelfuse-discrete-mosfets-ixft80n65x2hv-datasheet?assetguid=98a9675c-3288-46ca-8a25-6362ea5fb6bd
Код товару: 177859
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IXFT80N65X2HV за ціною від 628.75 грн до 1339.45 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXFT80N65X2HV IXFT80N65X2HV Виробник : IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Ultra_Junction_IXFT80N65X2HV_Datasheet.PDF MOSFETs 650V/80A TO-268HV
на замовлення 215 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1260.36 грн
10+868.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT80N65X2HV IXFT80N65X2HV Виробник : IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixft80n65x2hv-datasheet?assetguid=98a9675c-3288-46ca-8a25-6362ea5fb6bd Description: MOSFET N-CH 650V 80A TO268HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Power Dissipation (Max): 890W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-268HV (IXFT)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8300 pF @ 25 V
на замовлення 1037 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1339.45 грн
30+806.30 грн
120+700.51 грн
510+628.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT80N65X2HV IXFT80N65X2HV Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 80A 3-Pin(2+Tab) D3PAK-HV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT80N65X2HV IXFT80N65X2HV Виробник : IXYS IXFT80N65X2HV.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 80A; 890W; TO268
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Mounting: SMD
Case: TO268
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 200ns
On-state resistance: 38mΩ
Drain current: 80A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 890W
Drain-source voltage: 650V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.14µC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.