на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1880.35 грн |
| 10+ | 1702.47 грн |
| 30+ | 1419.41 грн |
| 120+ | 1250.78 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFT94N30T IXYS
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 94A; 890W; TO268; 155ns, Mounting: SMD, Kind of package: tube, Power dissipation: 890W, Polarisation: unipolar, Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet, Gate charge: 0.19µC, Kind of channel: enhancement, Case: TO268, Reverse recovery time: 155ns, Drain-source voltage: 300V, Drain current: 94A, On-state resistance: 36mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції IXFT94N30T
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IXFT94N30T | Виробник : IXYS |
 Description: MOSFET N-CH 300V 94A TO268 |
на замовлення 3690 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
 |
IXFT94N30T | Виробник : IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 94A; 890W; TO268; 155ns Mounting: SMD Kind of package: tube Power dissipation: 890W Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet Gate charge: 0.19µC Kind of channel: enhancement Case: TO268 Reverse recovery time: 155ns Drain-source voltage: 300V Drain current: 94A On-state resistance: 36mΩ Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|
|
|
IXFT94N30T | Виробник : IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 94A; 890W; TO268; 155ns Mounting: SMD Kind of package: tube Power dissipation: 890W Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet Gate charge: 0.19µC Kind of channel: enhancement Case: TO268 Reverse recovery time: 155ns Drain-source voltage: 300V Drain current: 94A On-state resistance: 36mΩ Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |