Продукція > IXYS > IXFX100N65X2
IXFX100N65X2

IXFX100N65X2 IXYS


Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Ultra_Junction_IXF_100N65X2_Datasheet.PDF
Виробник: IXYS
MOSFETs MOSFET 650V/100A Ultra Junction X2
на замовлення 92 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1366.43 грн
10+1054.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFX100N65X2 IXYS

Description: MOSFET N-CH 650V 100A PLUS247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3 Variant, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 1040W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 4mA, Supplier Device Package: PLUS247™-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11300 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXFX100N65X2 за ціною від 671.40 грн до 2086.25 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXFX100N65X2 IXFX100N65X2 Виробник : IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixf-100n65x2-datasheet?assetguid=bd7dffc9-72d4-4ee4-8bc2-7b72f9da7072 Description: MOSFET N-CH 650V 100A PLUS247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 1040W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 4mA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11300 pF @ 25 V
на замовлення 1545 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1415.90 грн
30+855.07 грн
120+743.84 грн
510+671.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX100N65X2 Виробник : IXYS/Littelfuse IXFK(X)100N65X2.pdf N-канальний ПТ, Udss, В = 650, Id = 100, Ciss, пФ @ Uds, В = 11300 @ 25, Qg, нКл = 180, Rds = 30 мОм, Ugs(th) = 5,5, Р, Вт = 1040, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = вивідний,... Група товару: Транзистори Корпус: TO-247-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 30 шт
на замовлення 7 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
Кількість Ціна
30+2086.25 грн
120+1788.21 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX100N65X2 IXFX100N65X2 Виробник : Littelfuse -mosfets-n-channel-ultra-junction-ixf-100n65x2-datasheet.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 100A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX100N65X2 DS100684B%28IXFK-FX100N65X2%29.pdf MOSFET N-CH 650V 100A TO-247-3 (PLUS247) Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX100N65X2 IXFX100N65X2 Виробник : IXYS IXFK(X)100N65X2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 100A; 1040W; PLUS247™; 200ns
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PLUS247™
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 183nC
Reverse recovery time: 200ns
On-state resistance: 30mΩ
Drain current: 100A
Power dissipation: 1.04kW
Drain-source voltage: 650V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.