IXFX100N65X2

IXFX100N65X2 Littelfuse Inc.


a Виробник: Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 650V 100A PLUS247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 1040W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 4mA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11300 pF @ 25 V
на замовлення 377 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1344.92 грн
30+867.01 грн
120+776.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFX100N65X2 Littelfuse Inc.

Description: MOSFET N-CH 650V 100A PLUS247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3 Variant, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 1040W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 4mA, Supplier Device Package: PLUS247™-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11300 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXFX100N65X2 за ціною від 841.62 грн до 1379.28 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXFX100N65X2 IXFX100N65X2 Виробник : IXYS media-3322775.pdf MOSFETs MOSFET 650V/100A Ultra Junction X2
на замовлення 235 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1379.28 грн
10+1331.66 грн
30+841.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX100N65X2 IXFX100N65X2 Виробник : Littelfuse -mosfets-n-channel-ultra-junction-ixf-100n65x2-datasheet.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 100A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX100N65X2 IXFX100N65X2 Виробник : Littelfuse fets_n-channel_ultra_junction_ixf_100n65x2_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 100A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX100N65X2 IXFX100N65X2 Виробник : IXYS IXFK(X)100N65X2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 100A; 1040W; PLUS247™; 200ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 100A
Power dissipation: 1.04kW
Case: PLUS247™
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 183nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 200ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX100N65X2 IXFX100N65X2 Виробник : IXYS IXFK(X)100N65X2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 100A; 1040W; PLUS247™; 200ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 100A
Power dissipation: 1.04kW
Case: PLUS247™
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 183nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 200ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.