
IXFX100N65X2 Littelfuse Inc.

Description: MOSFET N-CH 650V 100A PLUS247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 1040W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 4mA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11300 pF @ 25 V
на замовлення 377 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1344.92 грн |
30+ | 867.01 грн |
120+ | 776.20 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFX100N65X2 Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 650V 100A PLUS247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3 Variant, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 1040W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 4mA, Supplier Device Package: PLUS247™-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11300 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXFX100N65X2 за ціною від 841.62 грн до 1379.28 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IXFX100N65X2 | Виробник : IXYS |
![]() |
на замовлення 235 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
IXFX100N65X2 | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||
![]() |
IXFX100N65X2 | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||
![]() |
IXFX100N65X2 | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 100A; 1040W; PLUS247™; 200ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 100A Power dissipation: 1.04kW Case: PLUS247™ On-state resistance: 30mΩ Mounting: THT Gate charge: 183nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: ultra junction x-class Reverse recovery time: 200ns кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||
![]() |
IXFX100N65X2 | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 100A; 1040W; PLUS247™; 200ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 100A Power dissipation: 1.04kW Case: PLUS247™ On-state resistance: 30mΩ Mounting: THT Gate charge: 183nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: ultra junction x-class Reverse recovery time: 200ns |
товару немає в наявності |