Продукція > IXYS > IXFX120N30P3
IXFX120N30P3

IXFX120N30P3 IXYS

Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXF_120N30P3_Datasheet.PDF Виробник: IXYS
MOSFETs N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode
на замовлення 204 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1206.88 грн
10+1007.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFX120N30P3 IXYS

Description: MOSFET N-CH 300V 120A PLUS247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3 Variant, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 60A, 10V, Power Dissipation (Max): 1130W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA, Supplier Device Package: PLUS247™-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8630 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXFX120N30P3 за ціною від 711.89 грн до 1224.75 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXFX120N30P3 IXFX120N30P3 Виробник : Littelfuse Inc. Description: MOSFET N-CH 300V 120A PLUS247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 1130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8630 pF @ 25 V
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1224.75 грн
30+772.61 грн
120+711.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX120N30P3 IXFX120N30P3 Виробник : IXYS IXFK(X)120N30P3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 120A; 1130W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 120A
Power dissipation: 1.13kW
Case: PLUS247™
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.