на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1306.27 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFX120N65X2 Littelfuse
Description: LITTELFUSE - IXFX120N65X2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 120 A, 0.024 ohm, PLUS247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.25kW, Bauform - Transistor: PLUS247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції IXFX120N65X2 за ціною від 1022.73 грн до 1905.94 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXFX120N65X2 | Виробник : LITTELFUSE |
 Description: LITTELFUSE - IXFX120N65X2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 120 A, 0.024 ohm, PLUS247, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25kW Bauform - Transistor: PLUS247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 13 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
IXFX120N65X2 | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 650V 120A PLUS247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Variant Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 60A, 10V Power Dissipation (Max): 1250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 8mA Supplier Device Package: PLUS247™-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15500 pF @ 25 V |
на замовлення 120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
IXFX120N65X2 | Виробник : IXYS |
MOSFETs MOSFET 650V/120A Ultra Junction X2 |
на замовлення 181 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
IXFX120N65X2 | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 650V 120A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247 |
на замовлення 190 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
IXFX120N65X2 | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 650V 120A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247 |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||
|
|
IXFX120N65X2 | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 650V 120A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247 |
товару немає в наявності |
|||||||||
 |
IXFX120N65X2 | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 120A; 1250W; PLUS247™; 220ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 120A Power dissipation: 1.25kW Case: PLUS247™ On-state resistance: 24mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: ultra junction x-class Gate charge: 240nC Reverse recovery time: 220ns кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||
|
|
IXFX120N65X2 | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 120A; 1250W; PLUS247™; 220ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 120A Power dissipation: 1.25kW Case: PLUS247™ On-state resistance: 24mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: ultra junction x-class Gate charge: 240nC Reverse recovery time: 220ns |
товару немає в наявності |