Продукція > IXYS > IXFX160N30T
IXFX160N30T

IXFX160N30T IXYS

DS100127AIXFKFX160N30T.pdf
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 300V 160A PLUS247-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 335 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Power Dissipation (Max): 1390W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 60A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3 Variant
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFX160N30T IXYS

Description: MOSFET N-CH 300V 160A PLUS247-3, Packaging: Tube, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28000 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 335 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Supplier Device Package: PLUS247™-3, Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA, Power Dissipation (Max): 1390W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 60A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-247-3 Variant.

Інші пропозиції IXFX160N30T

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXFX160N30T IXFX160N30T IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Trench_Gate_IXF_160N30T_Datasheet.PDF MOSFETs 160A 300V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX160N30T IXFX160N30T IXYS IXF_160N30T.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 160A; 1390W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 160A
Power dissipation: 1390W
Case: PLUS247™
On-state resistance: 19mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 376nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX160N30T IXFX160N30T Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 300V 160A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX160N30T IXFX160N30T Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 300V 160A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX160N30T Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Trench_Gate_IXF_160N30T_Datasheet.PDF
IXFX160N30T
Виробник: IXYS
MOSFETs 160A 300V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX160N30T IXF_160N30T.pdf
IXFX160N30T
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 160A; 1390W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 160A
Power dissipation: 1390W
Case: PLUS247™
On-state resistance: 19mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 376nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX160N30T media.pdf
IXFX160N30T
Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 300V 160A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX160N30T media.pdf
IXFX160N30T
Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 300V 160A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.