IXFX160N30T Littelfuse Inc.
Виробник: Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 300V 160A PLUS247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 1390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 335 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28000 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 300V 160A PLUS247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 1390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 335 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28000 pF @ 25 V
на замовлення 368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1372.77 грн |
| 30+ | 889.46 грн |
| 120+ | 799.87 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFX160N30T Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 300V 160A PLUS247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3 Variant, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 60A, 10V, Power Dissipation (Max): 1390W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA, Supplier Device Package: PLUS247™-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 335 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28000 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXFX160N30T за ціною від 906.36 грн до 1532.06 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXFX160N30T | Виробник : IXYS |
 MOSFETs 160A 300V |
на замовлення 239 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IXFX160N30T | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 300V 160A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
IXFX160N30T | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 300V 160A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
IXFX160N30T | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 300V 160A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
IXFX160N30T | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 160A; 1390W; PLUS247™ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 300V Drain current: 160A Power dissipation: 1390W Case: PLUS247™ On-state resistance: 19mΩ Mounting: THT Gate charge: 376nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
IXFX160N30T | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 160A; 1390W; PLUS247™ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 300V Drain current: 160A Power dissipation: 1390W Case: PLUS247™ On-state resistance: 19mΩ Mounting: THT Gate charge: 376nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet |
товару немає в наявності |