на замовлення 231 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1183.56 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFX170N20P Littelfuse
Description: MOSFET N-CH 200V 170A PLUS247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3 Variant, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 1250W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA, Supplier Device Package: PLUS247™-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11400 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXFX170N20P за ціною від 1274.60 грн до 1274.60 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IXFX170N20P | Виробник : Littelfuse |
 Trans MOSFET N-CH 200V 170A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247 Tube |
на замовлення 231 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
 |
IXFX170N20P | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 170A; 1250W; PLUS247™ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 170A Power dissipation: 1.25kW Case: PLUS247™ On-state resistance: 14mΩ Mounting: THT Gate charge: 185nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||
 |
IXFX170N20P | Виробник : Littelfuse Inc. |
Description: MOSFET N-CH 200V 170A PLUS247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Variant Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 1250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: PLUS247™-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11400 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|||||
 |
IXFX170N20P | Виробник : IXYS |
MOSFETs Polar HiperFET Power MOSFET |
товару немає в наявності |
|||||
|
|
IXFX170N20P | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 170A; 1250W; PLUS247™ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 170A Power dissipation: 1.25kW Case: PLUS247™ On-state resistance: 14mΩ Mounting: THT Gate charge: 185nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |